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6月30日，據(jù)“西永微電園”官微消息，重慶三安半導(dǎo)體襯底廠舉行主設(shè)備進(jìn)場儀式，標(biāo)志著重慶三安襯底工廠通線即將進(jìn)入倒計時階段。

重慶三安300億8英寸SiC襯底項目迎來新進(jìn)展

據(jù)重慶三安基建負(fù)責(zé)人透露，項目主廠房已于去年12月完成結(jié)構(gòu)封頂，今年5月完成外墻裝飾，6月完成室外道路接駁，目前整體建設(shè)進(jìn)度已完成95%以上，正處于設(shè)備進(jìn)場安裝調(diào)試的關(guān)鍵階段。
重慶三安300億8英寸SiC襯底項目迎來新進(jìn)展
三安意法碳化硅項目總規(guī)劃投資約300億元人民幣，項目達(dá)產(chǎn)后將建成全國首條8吋碳化硅襯底和晶圓制造線，具備年產(chǎn)48萬片8吋碳化硅襯底、車規(guī)級MOSFET功率芯片的制造能力，預(yù)計營收將達(dá)170億人民幣，將有力推動重慶打造第三代化合物半導(dǎo)體之都。
來源：西永微電園官微

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：重慶三安300億8英寸SiC襯底項目迎來新進(jìn)展

作者 li, meiyong

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