7月9日，?天岳先進發布公告稱，公司擬以簡易程序向特定對象發行股票，募集資金總額不超過3億元（含本數），扣除相關發行費用后的募集資金凈額將用于投資8英寸車規級碳化硅襯底制備技術提升項目，本次發行的發行對象不超過35名（含）。根據公告顯示，本次項目主要研發方向包括碳化硅生長熱場仿真、碳化硅單晶應力控制、碳化硅單晶微缺陷控制、導電型碳化硅電阻率控制等，具體內容如下圖。本次募集資金主要用于建設投資，其建設周期為 24 個月，包括廠房凈化間裝修改造、設備采購安裝、新技術和工藝試驗等三個階段。而在近日，上海臨港管委會網站發布了上海天岳半導體材料有限公司（天岳先進子公司） “碳化硅半導體材料二期（一階段）項目”的環評公示信息。公示信息顯示，本項目為在現有廠區內進行改擴建，主要從事碳化硅晶片的生產。上海天岳利用“現有廠區內增加生產設備開展8英寸碳化硅晶片生產線建設，并對現有6英寸碳化硅晶片部分工藝進行改造”。
上海天岳公示環評表明該公司的上海臨港工廠二期8英寸碳化硅襯底產能建設已經進入實質性階段。并披露，公司臨港工廠已經達到年產30萬片襯底產能規劃目標。臨港工廠的8英寸碳化硅總體產能規劃約60萬片，公司將分階段實施。隨著碳化硅功率半導體在電動汽車、光伏、儲能、5G 等領域的廣泛應用，當前以 SiC 為代表的寬禁帶半導體正在隨著在終端領域的持續滲透而從導入期過渡到快速發展期。基于碳化硅半導體廣闊的應用前景，國際領先的襯底廠商已經開始向 8 英寸碳化硅襯底產能建設布局，國際一線芯片制造廠商也紛紛計劃擴大 8 英寸碳化硅晶圓制造，以爭奪產業高地。
行業內領先公司 Wolfspeed 數據顯示，從 6 英寸升級到 8 英寸，襯底的制備 成本雖然有所增加，但從下游晶圓制造端看，合格芯片產量可以增加 80%-90%；同時 8 英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度，降低 缺陷密度，從而提升良率，采用 8 英寸襯底可以將單位綜合成本降低 50%，進一 步加快碳化硅功率器件在下游領域的滲透應用。
從國際上看，8 英寸碳化硅技術已經成為各國競相布局的戰略布局高地。本項目天岳先進以 8 英寸碳化硅襯底關鍵技術提升、工藝優化的研發攻關目標，進行高品質車規級 8 英寸碳化硅襯底關鍵技術的持續創新，以及進行工程化研發試驗。天岳先進在設計 8 英寸碳化硅單晶生長熱場的基礎上，合理設計晶體生長工藝， 解決大尺寸熱場下的成核均勻性及誘生的微管、多型等缺陷問題，掌握低應力 8 英寸碳化硅單晶制備技術以及襯底表面超精密加工技術等，實現具有良好面型、高平整度、低粗糙度的“開盒即用”的高質量車規級碳化硅半導體襯底，實現工程化大批量穩定制備能力的技術優化提升。原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：天岳先進擬募集3億元投資8英寸碳化硅襯底項目
