盛美上海的Ultra C碳化硅清洗設備采用硫酸雙氧水混合物?(SPM)?進行表面氧化，并采用氫氟酸?(HF)?去除殘留物，進行碳化硅晶圓的清洗。該設備還集成盛美上海的SAPS 和 Megasonix??技術實現更全面更深層次的清洗。Ultra C 碳化硅清洗設備可提供行業領先的清潔度，達到每片晶圓顆粒≤10ea0.3um，金屬含量＜ 1E10atoms/cm³水平。該設備每小時可清洗超過 70?片晶圓，將于 2022 年下半年上市。

可為砷化鎵和磷化銦鎵?(InGaP)?工藝提供＜2%?的均勻度，＜ 10%?的共面度及＜ 3%?的重復度。Ultra C 濕法刻蝕設備可提供行業領先的化學溫度控制、刻蝕均勻性。該設備將于 2022 年第三季度交付給某重要客戶，并由其進行測試。

盛美上海的Ultra ECP GIII 1309 設備集成了預濕和后清洗腔，支持用于銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料，以及重分布層?(RDL)?和凸點下金屬化?(UBM)?工藝。設備實現了晶圓內和模內小于3%的均勻度和小于2% 的重復度。該設備已于 2021 年中交付給客戶，并滿足客戶技術要求。

Ultra ECP GIII 1108 設備提供金凸塊、薄膜和深通孔工藝，集成預濕和后清洗腔。設備采用盛美上海久經考驗的柵板技術進行深孔電鍍，以提高階梯覆蓋率。它可達到晶圓內和模內＜ 3%的均勻度和＜ 2%?的重復度。腔體和工藝槽體經過專門設計，可避免金電鍍液的氧化，且工藝槽體具有氮氣吹掃功能，可減少氧化。該設備已于去年年底交貨給關鍵客戶。

盛美上海的Ultra C ct 涂膠設備采用二次旋轉涂膠技術，可實現均勻涂膠。設備擁有行業領先的優勢，包括精確涂膠控制、自動清洗功能、冷熱板模塊以及每個腔體的獨立過程控制功能。

在化合物半導體工藝中，盛美上海的Ultra C dv 顯影設備可進行曝光后烘烤、顯影和硬烤的關鍵步驟。設備利用盛美上海的先進技術，可按要求實現+/-0.03 LPM的流量和?+/-0.5 攝氏度的溫度控制。

Ultra C s 刷洗設備以盛美上海先進的濕法清洗技術為基礎，實現優秀的污染物去除效果。該設備通過氮氣霧化二流體清洗或高壓清洗實現高性能，以更有效地清洗小顆粒。此外，設備還可兼容盛美上海專有的兆聲波清洗技術，以確保優良的顆粒去除效率（PRE），且不會損壞精細的圖形結構。

盛美上海的Ultra C pr濕法去膠設備利用槽式浸泡和單片工藝，確保高效地進行化合物半導體去膠。該設備最近由一家全球領先的整合元件制造商（IDM）訂購，用于去除光刻膠，這進一步驗證了盛美上海的技術優勢。

Ultra SFP 為傳統的化學機械拋光在硅通孔 (TSV) 工藝和扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)應用提供了一種環保替代方案。在 TSV 應用中，盛美上海的無應力拋光 (SFP) 系統可通過運用專有的電拋光技術去除低至 0.2μm 的銅覆蓋層，再使用傳統的 CMP 進一步去除剩余銅至阻擋層，并通過濕法刻蝕去除阻擋層，從而顯著降低耗材成本。對于 FOWLP，相同的工藝可以克服由厚銅層應力引起的晶圓翹曲，并應用于RDL中銅覆蓋層并平坦化 。

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