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1月30日，東臺高新區與無錫海古德新技術有限公司在江蘇富樂華功率半導體研究院簽約年產1020萬半導體功率模塊陶瓷基板項目。

無錫海古德年產1020萬半導體功率模塊陶瓷基板簽約江蘇東臺
根據公開信息顯示，此次無錫海古德項目投資6億元，占地約80畝，建設廠房面積約7萬平方米，新上六條流延線及排膠線，新購燒結爐、研磨機、激光粒度分析儀、氣相色譜儀等進口設備，年產氮化鋁基板720萬片，氮化硅基板300萬片，可實現開票10億元。
無錫海古德年產1020萬半導體功率模塊陶瓷基板簽約江蘇東臺

海古德高性能氮化鋁陶瓷材料項目由無錫海古德新技術有限公司投資建設。無錫海古德新技術有限公司是一家擁有自主知識產權、高科技專利技術，核心產品高性能氮化鋁（AlN）陶瓷材料、氮化硅（Si3N4）陶瓷基板及其元器件。
海古德產品廣泛應用于半導體功率模塊（IGBT）、新能源、5G通訊、光通訊、LED封裝（HBLED、UVA、UVC）、汽車電子（逆變器、傳感器）及影像傳感（VCSEL、3D、AR、VR）等諸多領域。
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原文始發于微信公眾號（艾邦陶瓷展）：無錫海古德年產1020萬半導體功率模塊陶瓷基板簽約江蘇東臺

作者 li, meiyong

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