據日本媒體報道，Novel Crystal Technology計劃投資約為20億日元，向其公司工廠添加設備，到 2025 年，建成年產 20,000 片 100mm（4 英寸）氧化鎵 (Ga2O3) 晶圓生產線。??除了制造和加工氧化鎵單晶基板的設備和檢查設備外，Novel Crystal Technology還將引進用于在晶圓上外延生長氧化鎵的成膜設備，并計劃開發一種可以同時沉積多個晶圓的新設備。?與由硅制成的傳統半導體相比，氧化鎵半導體可以實現器件的功耗降低和高耐壓。其特點是能夠通過熔融法生長塊狀單晶并有效地制造晶體基板。與正在投入實際應用的碳化硅（SiC）等下一代材料相比，晶體生長速度快了約100倍，基板更容易制造，從而顯著降低了成本。?原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：Novel Crystal Technology計劃至2026年4英寸氧化鎵晶圓產能達2萬片 文章導航ASM 宣布收購SiC外延設備制造商 LPE 華正新材擬設立合資公司，投資先進封裝CBF積層絕緣膜
