杭州士蘭微電子股份有限公司發布公告稱，近期，士蘭明鎵 SiC 功率器件生產線已實現初步通線，首個 SiC 器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產 2000 片6 英寸 SiC 芯片的生產能力。
士蘭微目前已完成第一代平面柵 SiC-MOSFET 技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平，并已將 SiC-MOSFET 芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶送樣。
作為第三代半導體材料的典型代表，SiC 具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應用場合下極為理想的半導體器件材料。在新能源汽車領域，SiC 功率半導體主要用于驅動和控制電機的逆變器、車載 DC/DC 轉換器、車載充電器（OBC）等。車載充電器和充電樁使用 SiC 器件后將充分發揮高頻、高溫和高壓三方面的優勢，可實現充電系統高效化、小型化和高可靠性。
據介紹，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司是由杭州士蘭微電子股份有限公司（持股34.72%）與廈門半導體投資集團有限公司（持股65.28%）共同出資設立，計劃投資50億元分兩期建設一條 4/6 吋兼容的化合物半導體生產線。截至 2021 年底，士蘭明鎵已完成第一期 20 億元的投資，形成了每月 7.2 萬片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的產能，其產品在小間距顯示、mini LED 顯示屏、紅外光耦、安防監控、車用 LED 等領域得到廣泛應用。士蘭明鎵于2022年7月正式啟動化合物半導體第二期建設項目，即"SiC 功率器件生產線建設項目"，計劃投資 15 億元，建設一條 6 吋 SiC 功率器件芯片生產線，最終形成年產 14.4 萬片 6 吋 SiC 功率器件芯片的產能，其中 SiC-MOSFET 芯片 12 萬片/年、SiC-SBD 芯片 2.4 萬片/年。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：士蘭明鎵 SiC 功率器件生產線已實現初步通線，首個 SiC 器件芯片已投片成功
