長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目落戶光谷助力打造化合物半導體產業高地?8月25日，東湖高新區管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議書。長飛先進第三代半導體功率器件研發生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等 ，將助力武漢打造國內化合物半導體產業高地。長飛先進半導體生產現場安徽長飛先進半導體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：總投資超200億！長飛先進半導體第三代半導體功率器件研發生產基地落戶光谷 文章導航天岳先進獲 8.05 億元碳化硅訂單合同 全球首個碳化硅半導體外延晶片SEMI國際標準正式發布
長飛先進半導體生產現場
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