干法刻蝕（Dry Etching）是使用氣體刻蝕介質(zhì)。常用的干法刻蝕方法包括物理刻蝕（如離子束刻蝕）和化學(xué)氣相刻蝕（如等離子體刻蝕）等。

與干法蝕刻相比，濕法刻蝕使用液體刻蝕介質(zhì)，通常是一種具有化學(xué)反應(yīng)性的溶液或酸堿混合液。這些溶液可以與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕。硅濕法刻蝕是一種相對簡單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質(zhì)進(jìn)行。

然而，與干法刻蝕相比，它的刻蝕速度較慢，并且還需要處理廢液。每個(gè)目標(biāo)物質(zhì)都需要選擇不同的化學(xué)溶液進(jìn)行刻蝕，因?yàn)樗鼈兙哂胁煌墓逃行再|(zhì)。例如，在刻蝕SiO2時(shí)，主要使用HF；而在刻蝕Si時(shí)，主要使用HNO3。因此，在該過程中選擇適合的化學(xué)溶液至關(guān)重要，以確保目標(biāo)物質(zhì)能夠充分反應(yīng)并被成功去除。

“各向同性”和“各向異性”

在介紹濕法蝕刻和干法蝕刻的區(qū)別時(shí)，必不可少的詞是“各向同性”和“各向異性”。各向同性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)不隨方向變化，各向異性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)隨方向不同而不同。各向同性蝕刻是指在某一點(diǎn)周圍蝕刻進(jìn)行相同量的情況，各向異性蝕刻是指蝕刻在某一點(diǎn)周圍根據(jù)方向不同進(jìn)行的情況。例如，在半導(dǎo)體制造過程中的刻蝕中，往往選擇各向異性刻蝕，以便只刮削目標(biāo)方向，而留下其他方向。

來源：網(wǎng)絡(luò)

原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：干法刻蝕與濕法刻蝕的區(qū)別