1.上汽發(fā)布智己 LS6：首款搭載準(zhǔn) 900V 雙碳化硅高性能平臺
在8月25日-9月3日舉行的 2023 第二十六屆成都國際車展上，上汽集團(tuán)旗下智己汽車發(fā)布全新高端純電 SUV——智己 LS6。新車是首臺搭載“準(zhǔn) 900V 雙碳化硅高性能平臺”的車型，其最大工作電壓 875V，額定電壓 751V，采用高性能雙碳化硅功率模塊&定制陶瓷軸承，零百加速 3.48s，最高時速 252km/h。2.長飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開工，總投資預(yù)超 200 億
9月1日，長飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開工儀式在光谷科學(xué)島圓滿舉行。長飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地位于光谷科學(xué)島，項目總投資預(yù)計超過 200 億元。其中，項目一期總投資 100 億元，可年產(chǎn) 36 萬片 SiC MOSFET 晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。一期項目預(yù)計 2025 年建設(shè)完成，屆時將成為國內(nèi)最大的 SiC 功率半導(dǎo)體制造基地，公司產(chǎn)能規(guī)模將居行業(yè)絕對領(lǐng)先地位。3.臻驅(qū)科技獲得沃爾沃汽車科技基金 C+ 戰(zhàn)略投資
9月4日，臻驅(qū)科技官微表示獲得沃爾沃汽車科技基金（Volvo Car Technology Fund AB）的戰(zhàn)略投資。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，沃爾沃汽車科技基金參與臻驅(qū)科技的 C+ 輪融資，該筆投資交易已于近期完成。
此前，臻驅(qū)科技和沃爾沃汽車圍繞下一代碳化硅（SiC）技術(shù)開發(fā)進(jìn)行了深入的討論，雙方合作將主要圍繞碳化硅功率模塊及電控整機(jī)的應(yīng)用展開，此次投資契合了雙方在新能源汽車電驅(qū)動領(lǐng)域深化合作的一致愿望。4.日本采用新工藝將 SiC 晶圓制造成本降低 30%
9月6日，據(jù)日刊工業(yè)新聞報道 Dry Chemicals 開發(fā)出一種工藝可以將功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）晶圓的制造成本降低 20-30%。
該工藝在晶錠上進(jìn)行凹槽加工，使晶圓切片更平整，減少了晶圓表面研磨、拋光等后處理所需的步驟。該公司將于 10 月份開始晶圓代加工和制造設(shè)備對外銷售，預(yù)計第一年銷售 5 至 10 臺設(shè)備。5.三安半導(dǎo)體首發(fā)亮相8英寸碳化硅襯底
9月6-8日，三安半導(dǎo)體在 SEMICON Taiwan 2023 展會上亮相碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，推出 650V-1700V 寬電壓范圍的 SiC MOSFET，并首發(fā)適用于電力電子的 8 英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體此次展出的關(guān)鍵產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。湖南三安半導(dǎo)體是國內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅垂直整合制造平臺，可提供從晶體生長、襯底制備、外延生長、芯片制程到封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈制造服務(wù)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品迭代、質(zhì)量、交付的全方位管控。
6.國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項目竣工，突破6英寸碳化硅MOSFET量產(chǎn)
9月6日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。會上，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）宣布一期項目竣工投產(chǎn)。國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項目依托55所原有11#廠房區(qū)域，“以存量帶增量”的方式，打造6英寸SiC電力電子器件研發(fā)與中試平臺，國內(nèi)率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生產(chǎn)技術(shù)，形成成套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅器件技術(shù)體系。據(jù)了解，二期項目計劃于2024年開建，規(guī)劃年產(chǎn)20萬片8英寸圓片。7.乾融園豐基金完成對凌銳半導(dǎo)體 Pre-A 輪領(lǐng)投融資
9月7日，乾融控股旗下乾融園豐基金已完成對凌銳半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“凌銳半導(dǎo)體”）Pre-A 輪融資的領(lǐng)投，將繼續(xù)拓展延鏈第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)生態(tài)投資布局。凌銳半導(dǎo)體成立于 2022 年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）車規(guī)級和工業(yè)級芯片研發(fā)與銷售的高科技公司，設(shè)有中國與歐洲兩個研發(fā)中心，核心團(tuán)隊由來自于原英飛凌（Infineon）、科銳（CREE Wolfspeed）、UnitedSiC Rugters 實(shí)驗(yàn)室、意法（ST）、安森美（Onsemi）核心功率器件團(tuán)隊的海歸與外國專家組成，具備深厚的功率器件開發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。已與上下游產(chǎn)業(yè)鏈建立了深入的合作關(guān)系，相繼推出了多款高性能碳化硅 MOS 芯片，并有多款通過大客戶驗(yàn)證，包括 1200V/80mΩ，1200V/35mΩ，1200V/16mΩ 等，可用于光伏儲能充電樁以及電動汽車等。8.晶能 SiC 半橋模塊試制成功
9月8日，晶能首款 SiC 半橋模塊試制成功，初測性能指標(biāo)達(dá)到國際一流水平。該模塊電氣設(shè)計優(yōu)異，寄生電感 5nH；采用雙面銀燒結(jié)與銅線鍵合工藝，配合環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封工藝，持續(xù)工作結(jié)溫達(dá) 175℃，在 800V 電池系統(tǒng)中輸出電流有效值高達(dá) 700Arms。
晶能 SiC 半橋模塊此次 SiC 半橋模塊是為應(yīng)對新能源汽車主牽引驅(qū)動器的高功率密度、高可靠性等需求研發(fā)的重要產(chǎn)品，涵蓋 750V/1200V 耐壓等級，至多并聯(lián)10顆 SiC 芯片，可應(yīng)對純電及混動應(yīng)用場景下的不同需求挑戰(zhàn)。9.美林電子發(fā)布 IGBT 芯片模塊新產(chǎn)品，并與多單位簽訂合作協(xié)議
9月8日，美林電子 IGBT 芯片模塊新產(chǎn)品發(fā)布會在淄博舉辦，會上該公司介紹了 1700 伏系列新品，新產(chǎn)品采用國際領(lǐng)先工藝，在第六代 IGBT 芯片基礎(chǔ)上進(jìn)行多項優(yōu)化設(shè)計，增加了電流可控性和短路穩(wěn)健性，可夠應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電和儲能及工控領(lǐng)域。這是國產(chǎn)中高壓 IGBT 又一里程碑式的進(jìn)步。在發(fā)布會上，美林電子還與新風(fēng)光電子、臨工重機(jī)、山東大學(xué)、山東舜恒私募基金、上海兆昂投資中心、建設(shè)銀行淄博分行、民生銀行淄博分行等單位集中簽訂合作協(xié)議。10.高測股份助力國產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊 8 英寸
9月15日，據(jù)高測股份官微消息，高測股份 8 英寸碳化硅金剛線切片機(jī)再拿新訂單，截至目前累計簽單數(shù)已破雙，基本覆蓋新增 8 英寸金剛線切片產(chǎn)能需求。高測股份將金剛線切割技術(shù)引入 8 英寸碳化硅領(lǐng)域，對比砂漿切割產(chǎn)能提升 118%，成本降低 26%，目前已獲得國內(nèi)頭部碳化硅襯底企業(yè)的高度認(rèn)可，收獲批量訂單。高測股份成立于 2006 年，2020 年科創(chuàng)板上市，聚焦高硬脆材料切割領(lǐng)域，金剛線專業(yè)切割十行百業(yè)。目前，該公司將金剛線切割技術(shù)成功應(yīng)用于光伏、半導(dǎo)體、碳化硅、藍(lán)寶石、磁性材料等行業(yè)。
11.小鵬 2024 款 G9 上市，搭載 800V 高壓碳化硅平臺
9月19日晚，2024 款小鵬 G9 正式上市，新款 G9 依托扶搖架構(gòu)，全系標(biāo)配 XNGP 全場景智能駕駛座艙，搭載全域 800V 高壓碳化硅平臺，支持超快充電，10%-80% 只要 20 分鐘。純電續(xù)航分為 570 公里、650 公里及 702 公里，四驅(qū)版車型零百加速 3.9 秒。截至目前為止，9 月新上市的車型中除了小鵬新款 G9，采用了碳化硅器件的還有上汽智己 LS6、極氪 001 FR、零跑 C10、廣汽埃安昊鉑 GT、奔馳 CLA 級概念車、以及預(yù)計 10 月份正式上市的合創(chuàng) V09 等。12.安建首發(fā)七層光罩 12 英寸第七代 IGBT
9日20日，安建科技官微表示近期已將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國內(nèi)頂級12-inch IGBT 加工平臺。安建科技是國內(nèi)首家推出基于 7 層光罩工藝的 12-inch 第七代 IGBT 的國產(chǎn)廠家，早于 2019 年即在國內(nèi)頂尖 8-inch 晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用 7 層光罩工藝的第七代溝槽-場截止 IGBT 技術(shù)，是國內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代 IGBT 的國產(chǎn)廠家，并完全擁有相關(guān)自主知識產(chǎn)權(quán)。
圖? 安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓13.中科漢韻成功交付超 500 片新能源車用主驅(qū) SiC MOSFET 晶圓
9月20日，中科漢韻半導(dǎo)體官微表示已成功交付超 500 片車規(guī)級 SiC MOSFET 晶圓。該產(chǎn)品包括 1200V/17mohm、750V/13mohm 兩種型號產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電動汽車的主驅(qū)系統(tǒng)。
中科漢韻成立于 2019 年，是由中國科學(xué)院微電子研究所和徐州中科芯韻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金共同投資的半導(dǎo)體芯片設(shè)計和制造企業(yè)。中科漢韻聚焦于第 3 代半導(dǎo)體 SiC MOSFET 芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，同時設(shè)計和生產(chǎn)與之相配的 SiC 二極管（JBS），在其工廠完成芯片生產(chǎn)，于 2021 年 5 月 SiC 功率器件項目正式通線。中科漢韻于今年開始批量交付車規(guī)級 SiC MOSFET 晶圓產(chǎn)品，良率達(dá)到 70% 以上。14.中國平煤神馬高純碳化硅粉體項目試生產(chǎn)
9月21日，中國平煤神馬年產(chǎn) 2000 噸電子級高純碳化硅粉體項目試生產(chǎn)啟動儀式舉行。該項目填補(bǔ)了河南省第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)空白，項目全部建成后，產(chǎn)能將居全國第一。15.優(yōu)晶光電 | 大尺寸高質(zhì)量SiC晶體電阻法生長設(shè)備項目科技成果鑒定會順利召開
9月23日，蘇州優(yōu)晶光電科技有限公司召開《大尺寸高質(zhì)量SiC晶體電阻法生長設(shè)備項目科技成果鑒定會》。會上對由優(yōu)晶光電完成的《大尺寸高質(zhì)量SiC晶體電阻法生長設(shè)備》項目科技成果進(jìn)行鑒定。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：9月 IGBT，SIC 最新資訊匯總
