2023年10月13日，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，該設(shè)備執(zhí)行最重要的半導(dǎo)體制造工藝——電路圖案轉(zhuǎn)移。

除了現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)之外，通過(guò)將采用納米壓印光刻 (NIL) 技術(shù)的半導(dǎo)體制造設(shè)備推向市場(chǎng)，佳能正在擴(kuò)大其半導(dǎo)體制造設(shè)備陣容，涵蓋從最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備到現(xiàn)有設(shè)備，以滿(mǎn)足廣泛用戶(hù)的需求。

傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過(guò)將電路圖案投影到涂有抗蝕劑的晶圓上來(lái)轉(zhuǎn)移電路圖案，而新產(chǎn)品則通過(guò)將印有電路圖案的掩模壓印在晶圓上的抗蝕劑上，就像印章一樣來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。由于其電路圖案轉(zhuǎn)移過(guò)程不通過(guò)光學(xué)機(jī)制，因此掩模上的精細(xì)電路圖案可以如實(shí)地再現(xiàn)在晶圓上。因此，可以在單個(gè)壓印中形成復(fù)雜的二維或三維電路圖案，這可以降低擁有成本。

佳能的 NIL 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最小線(xiàn)寬 14 nm2 的圖案化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的 5 nm-node3。此外，隨著掩模技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，NIL有望實(shí)現(xiàn)最小線(xiàn)寬為10nm的電路圖案，相當(dāng)于2nm節(jié)點(diǎn)。

新產(chǎn)品采用了新開(kāi)發(fā)的環(huán)境控制技術(shù)，可抑制設(shè)備內(nèi)細(xì)顆粒的污染。實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體層數(shù)增加所必需的高精度對(duì)準(zhǔn)，減少了微細(xì)顆粒造成的缺陷，并可形成精細(xì)且復(fù)雜的電路，為尖端半導(dǎo)體器件的制造做出了貢獻(xiàn)。

由于新產(chǎn)品不需要用于精細(xì)電路的特殊波長(zhǎng)光源，因此與目前最先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體的光刻設(shè)備（5納米節(jié)點(diǎn)，15納米線(xiàn)寬）相比，可以顯著降低功耗，從而有助于減少二氧化碳排放。新產(chǎn)品可用于廣泛的應(yīng)用，例如用于具有數(shù)十納米微觀結(jié)構(gòu)的 XR 的 Metalenses，以及邏輯和其他半導(dǎo)體器件。

文章來(lái)源：Canon

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