2023年10月13日，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設備，該設備執行最重要的半導體制造工藝——電路圖案轉移。

除了現有的光刻系統之外，通過將采用納米壓印光刻 (NIL) 技術的半導體制造設備推向市場，佳能正在擴大其半導體制造設備陣容，涵蓋從最先進的半導體設備到現有設備，以滿足廣泛用戶的需求。

傳統的光刻設備通過將電路圖案投影到涂有抗蝕劑的晶圓上來轉移電路圖案，而新產品則通過將印有電路圖案的掩模壓印在晶圓上的抗蝕劑上，就像印章一樣來實現這一點。由于其電路圖案轉移過程不通過光學機制，因此掩模上的精細電路圖案可以如實地再現在晶圓上。因此，可以在單個壓印中形成復雜的二維或三維電路圖案，這可以降低擁有成本。

佳能的 NIL 技術可實現最小線寬 14 nm2 的圖案化，相當于生產目前最先進的邏輯半導體所需的 5 nm-node3。此外，隨著掩模技術的進一步改進，NIL有望實現最小線寬為10nm的電路圖案，相當于2nm節點。

新產品采用了新開發的環境控制技術，可抑制設備內細顆粒的污染。實現了半導體層數增加所必需的高精度對準，減少了微細顆粒造成的缺陷，并可形成精細且復雜的電路，為尖端半導體器件的制造做出了貢獻。

由于新產品不需要用于精細電路的特殊波長光源，因此與目前最先進邏輯半導體的光刻設備（5納米節點，15納米線寬）相比，可以顯著降低功耗，從而有助于減少二氧化碳排放。新產品可用于廣泛的應用，例如用于具有數十納米微觀結構的 XR 的 Metalenses，以及邏輯和其他半導體器件。

文章來源：Canon

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：Canon推出納米壓印光刻半導體制造系統