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在碳化硅生產(chǎn)流程中,碳化硅襯底制備是最核心環(huán)節(jié),技術(shù)壁壘高,難點(diǎn)主要在于晶體生長(zhǎng)和切割。單晶生長(zhǎng)后,將生長(zhǎng)出的晶體切成片狀,由于碳化硅的莫氏硬度為9.2,僅次于金剛石,屬于高硬脆性材料,因此切割過程耗時(shí)久,易裂片。實(shí)現(xiàn)切割損耗小、并且切割出厚度均勻、翹曲度小的高質(zhì)量SiC晶片是目前面臨的重要技術(shù)難點(diǎn)。

一、碳化硅晶體切割技術(shù)種類

20?世紀(jì) 80?年代以前,高硬脆材料一般采用涂有金剛石微粉的內(nèi)圓鋸進(jìn)行切割。由于內(nèi)圓鋸切割的切縫大、材料損耗多,且對(duì)高硬脆材料的切割尺寸有限制,從 20?世紀(jì) 90?年代中期開始,切縫窄、切割厚度均勻且翹曲度較低的線鋸切割方式逐步發(fā)展起來(lái)。線鋸切割以鋼線做刃具,主要分為游離磨料(砂漿線切割)和固結(jié)磨料切割(金剛石線鋸切割技術(shù))兩類。

碳化硅襯底切割技術(shù)及供應(yīng)商名單

圖??碳化硅晶體和襯底晶片,來(lái)源:重投天科半導(dǎo)體

目前,碳化硅晶體的切割技術(shù)有:金剛石線切割(固結(jié)磨料線鋸切割)、砂漿線切割(游離磨料線鋸切割)、激光切割。線鋸切割技術(shù)成熟,是主流切割技術(shù)。

表?金剛石線切割、砂漿線切割、激光切割的優(yōu)缺點(diǎn)

碳化硅襯底切割技術(shù)及供應(yīng)商名單

1、砂漿線切割

砂漿切割技術(shù)指一種切割高硬脆材料的切割工藝技術(shù)。該工藝以鋼線為基體,莫氏硬度為 9.5 的碳化硅(SiC)作為切割刃料,鋼線在高速運(yùn)動(dòng)過程中帶動(dòng)切割液和碳化硅混合的砂漿進(jìn)行摩擦,利用碳化硅的研磨作用達(dá)到切割效果。砂漿線切割技術(shù)中,砂漿是磨粒的載體,對(duì)懸浮于其中的磨粒起到穩(wěn)定分散的作用,因此需要一定的黏度,同時(shí)砂漿還需要帶動(dòng)磨粒隨線鋸一起運(yùn)動(dòng),因此需要具有較好的流動(dòng)性,還應(yīng)具有較好的導(dǎo)熱性防止切片溫度過高,在實(shí)際應(yīng)用中一般選擇聚乙二醇(PEG)作為磨粒的分散劑。

碳化硅襯底切割技術(shù)及供應(yīng)商名單

圖?砂漿切割原理示意圖

砂漿切割技術(shù)具有切縫窄、切割厚度均勻等優(yōu)點(diǎn),適用于硅材料和SiC切片,但存在加工效率低、磨粒利用率低、對(duì)環(huán)境不友好等缺點(diǎn)。

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圖?砂漿切割示意圖

2、金剛石線切割

金剛線,或稱金剛石線、電鍍金剛線,是用電鍍的方法在鋼線基體上沉積一層金屬鎳,金屬鎳層內(nèi)包裹有金剛石微粉顆粒,從而使金剛石顆粒固結(jié)在鋼線基體上而制得的一種線性超硬材料切割工具。金剛線切割技術(shù)指以金剛線為切割工具,配合專用的切割設(shè)備和適合的切割工藝,實(shí)現(xiàn)硬脆材料切割加工的技術(shù)。

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圖?金剛線切割原理示意圖

金剛石線切割工藝相較上一代游離磨料砂漿切割工藝具有巨大優(yōu)勢(shì),具備大幅降低線耗成本、提高材料利用率,大幅降低切割磨損、提高切割速度,大幅提升切片效率、與砂漿線切割技術(shù)不同,通常使用水基冷卻劑,較為環(huán)保,摒棄游離磨料砂漿切割所使用的昂貴且不環(huán)保的碳化硅等砂漿材料等特點(diǎn),因此用金剛石線切割有效降低了切割環(huán)節(jié)成本。在金剛石線使用中,線徑大小、切割速度、金剛石線消耗量、TTV情況是切片成本的主要影響要素。
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圖?金剛線切割示意圖

表?單晶碳化硅不同切片工藝的加工質(zhì)量
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※超聲復(fù)合線鋸:超聲輔助的金剛線切割

3、激光切割

激光剝離技術(shù)是將激光聚焦到晶圓表面以下,在碳化硅晶錠內(nèi)部不同深度處進(jìn)行逐層掃描生成單道或者多道改質(zhì)層,之后,在外張力作用下,改質(zhì)層裂紋沿垂直于晶圓表面方向擴(kuò)展,使晶圓由內(nèi)向外劈裂,從而在碳化硅晶錠上剝離出晶圓。碳化硅的激光切割一般使用皮秒紅外激光器作為光源,近紅外波長(zhǎng)能夠更好的透過碳化硅并聚焦在材料內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)。這種技術(shù)具有材料損耗低、加工效率高、出片數(shù)量多等優(yōu)勢(shì),有望成為金剛線切割技術(shù)的理想替代方案。

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圖??DISCO?KABRA?激光剝離技術(shù)

據(jù)DISCO官網(wǎng)介紹,其 KABRA 激光剝離技術(shù)6英寸SiC晶錠上切割一個(gè)晶片需要10min(一個(gè)晶錠需要31h),而傳統(tǒng)技術(shù)則需要3.1h(一個(gè)晶錠需要100h),單個(gè)晶錠可生產(chǎn)的晶片數(shù)量是現(xiàn)有工藝的 1.4 倍。

碳化硅襯底切割技術(shù)及供應(yīng)商名單圖 ?英飛凌冷切割(cold?split)技術(shù)

2018年,英飛凌耗資1.24億歐元收購(gòu)了一家名為SILTECTRA的晶圓切割公司,其核心技術(shù)“冷切割(cold split)”,采用低溫和激光技術(shù)切出晶圓片,相比于鋸切割對(duì)于材料的損耗幾乎可以忽略不計(jì)。通過晶錠的切片和背部減薄的切割方法,冷切割技術(shù)理論上可以達(dá)到傳統(tǒng)晶圓處理方法4倍的利用率。不僅如此,冷切割技術(shù)還可以用于GaN晶錠的生產(chǎn)過程中。英飛凌目前已經(jīng)在晶錠的切片過程中開始試產(chǎn)冷切割技術(shù),未來(lái)兩年會(huì)繼續(xù)把冷切割技術(shù)用到背部減薄工藝中去。

此外,晟光硅研掌握的微射流激光切割技術(shù),聚焦激光束耦合進(jìn)高速水射流,在水柱內(nèi)壁形成全反射后形成截面能量均勻分布的能量束。兼?zhèn)湮⑸淞骷す獾途€寬、能量密度大、方向可控、實(shí)時(shí)降低加工材料表面溫度等特性,為硬脆材料一體化高效精加工,提供絕佳條件。

碳化硅襯底切割技術(shù)及供應(yīng)商名單

圖 微射流激光技術(shù)工作圖和加工裝置示意圖

激光微水射流加工技術(shù)利用了激光在水和空氣的界面上發(fā)生全反射的現(xiàn)象,使激光耦合在穩(wěn)定的水射流內(nèi)部,利用水射流內(nèi)部很高的能量密度來(lái)實(shí)現(xiàn)材料的去除。6英寸單片晶圓片降低襯底總成本35%,效率提升8倍。

二、碳化硅晶體切割設(shè)備供應(yīng)商

公司名字

產(chǎn)品

日本東洋先進(jìn)機(jī)床有限公司

金剛石線切割

日本株式會(huì)社安永

金剛石線切割

中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所

金剛石線切割

青島高測(cè)科技股份有限公司(688556)

金剛石線切割

煙臺(tái)力凱數(shù)控科技有限公司

金剛石線切割

弘元綠色能源股份有限公司

金剛石線切割

大連連城數(shù)控機(jī)器股份有限公司

金剛石線切割

美國(guó)PSS集團(tuán)(Precision?Surfacing?Solutions)

金剛石線切割

日本DISCO

激光切割

英飛凌

激光切割

蘇州德龍激光股份有限公司

激光切割

中國(guó)電科第二研究所

激光切割

華工激光

激光切割

大族激光

激光切割

西湖儀器(杭州)技術(shù)有限公司

激光切割

西安晟光硅研半導(dǎo)體科技有限公司

微射流激光切割

日本高鳥(Takatori)

砂漿線切割

湖南宇晶機(jī)器股份有限公司

砂漿線切割

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