目前 IGBT/SiC 發展方興未艾，前景廣闊，成為各行各業尤其是新能源等方向的發展新風口。據小編統計，僅在10月，已有三安光電、科友半導體、欣銳科技、凌銳半導體、基本半導體、安世半導體、京瓷、東芝、意法半導體、安森美等 30 余家企業通過投融資并購、簽署合作訂單、項目簽約及開工投產、發布新品新技術等方式在 IGBT/SiC 方面助力第三代半導體發展。其中 7 家企業通過投融資助力，8 家企業簽署合作訂單、8 家企業有項目簽約或開工投產、10 家企業發布推出相關新品。3）相干公司碳化硅半導體業務將獲得 DENSO 和三菱電機 10 億美元的投資5）德智新材完成數億元戰略融資，助力碳化硅部件國產替代1）安世半導體與京瓷 AVX合作生產650 V 碳化硅整流器模塊4）賽米控丹佛斯與SK Inc. 簽署SiC合作協議1）順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目簽約3）杰平方半導體擬69億元在香港設立碳化硅8寸先進垂直整合晶圓廠4）芯未半導體年產6萬片IGBT芯片一期項目全面通線投產7）安森美韓國碳化硅工廠擴建正式落成，8英寸晶圓年產能上限將突破100萬片5）宏微科技IGBT模塊產品已完成問界新款車型主驅產品定點驗證測試6）凌銳半導體推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS7）羅姆新增SiC和IGBT模型，可提供超過3,500種LTspice?模型10）意法半導體新品車規雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置?
10月8日，忱芯科技（UniSiC）宣布已于近日完成億元戰略融資，本輪融資由火山石投資、華潤旗下潤科基金、老股東武岳峰科創聯合投資，融資資金將主要用于忱芯科技前瞻產品的研發，以及量產產品的全球化布局。
10 月 9 日，臻驅科技宣布完成D輪超6億元人民幣融資。該輪融資由君聯資本和元禾辰坤聯合領投，C資本、新尚資本、華泰寶利投資、敦成投資、九頌繁星、奧飛娛樂創始人兼總裁蔡曉東等多家頭部投資機構共同參與投資。此次融資將主要用于業務爆發階段的運營現金流補充，產能擴建，研發下一代功率模塊、功率磚和碳化硅技術。過去1個月，臻驅科技相繼完成了 C+輪沃爾沃汽車科技基金（Volvo Car Technology Fund AB）戰略融資和D輪融資。至此，年內已獲得包括產業資本、私募股權投資、國有投資平臺、保險資金等各類投資人的支持與認可。3.相干公司碳化硅半導體業務將獲得DENSO和三菱電機10億美元的投資10月10日，日本電裝株式會社及三菱電機株式會社宣布向美國光電子產品生產商相干（Coherent）的碳化硅業務獨立子公司分別投資5億美元，各獲得12.5%的非控股權益。電裝與三菱電機將向這家公司采購150mm和200mm碳化硅晶圓。
根據交易條款，電裝和三菱電機將各投資5億美元，以獲得Coherent 碳化硅業務12.5%的非控股所有權，Coherent 擁有剩余75%的所有權。在交易完成之前，Coherent 將把SiC業務剝離出來，成立新的子公司獨立運營，子公司由碳化硅功率器件和模塊領域的2大領先企業電裝和三菱電機進行戰略投資。10月19日，長沙安牧泉智能科技有限公司宣布已于近日順利完成超4億元C輪融資。本輪融資由湘江國投、華金資本領投，聯想創投聯投，深投控資本、長江資本、深圳智慧城市產投、東方富海、蘇州乾融資本跟投。本輪融資募集資金，將主要用于公司3萬平米二期基地的擴產建設，以及先進封裝技術的研發創新，更好滿足國內高端芯片客戶不斷增長的需求。5.德智新材完成數億元戰略融資，助力碳化硅部件國產替代10月27日，湖南德智新材料有限公司表示已于近日完成數億元人民幣的戰略融資，此次融資將主要用于德智新材株洲、無錫兩地產能擴建與研發投入，助力國產替代。
目前，德智新材已開發LED外延設備用組件、三代半外延設備用組件、硅基外延設備用組件、SiC刻蝕環、SiC晶舟等一系列半導體用SiC部件制品。其中，德智新材在12寸大硅片外延用SiC涂層石墨盤、實體SiC刻蝕環產品實現技術突破，成為國內極少具備量產能力的領先企業。?
10月30日，中瑞宏芯半導體宣布于近日完成近億元人民幣的產投融資，由光伏微逆領頭公司禾邁股份（股票代碼688032）和頭部汽車電子供應商納芯微（股票代碼688052）聯合投資。本輪融資將繼續用于碳化硅器件的技術研發創新、生產運營及市場拓展，全方位提升中瑞宏芯在SiC功率半導體行業的核心競爭力。
10月30日，特思迪宣布完成B輪融資，本輪融資將進一步推動特思迪在技術突破、產能擴充、產品研發、產業布局、人才引進等關鍵環節的發展進程，加快8寸碳化硅等半導體材料磨拋設備國產化。
1.安世半導體與京瓷 AVX合作生產650 V 碳化硅整流器模塊10月4日，半導體專家 Nexperia（安世半導體）宣布與國際領先的先進電子元件供應商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作伙伴關系，合作生產新型 650 V 20 A 碳化硅 (SiC) 整流器模塊，用于從 3 kW 到 11 kW 功率堆棧設計的高頻功率應用、工業電源、電動汽車充電站和車載充電器等應用。此次聯手將進一步深化兩家公司之間現有的長期合作伙伴關系。安世半導體預計新型 SiC 整流器模塊的樣品將于 2024 年第一季度提供。
10月8日，芯塔電子（安徽芯塔電子科技有限公司）宣布與南京博蘭得電子科技有限公司在器件供應、市場拓展、應用開發、技術創新、資源整合等方面合作達成一致，共同簽署戰略合作協議。芯塔電子SiC MOSFET已批量出貨南京博蘭得20KW直流充電模塊產品。基于博蘭得專利技術，該產品采用SiC方案后，可做到全范圍高效輸出，峰值效率可達97.5%，平均滿載效率高于96%，領先業界平均水平2%。? ?
10月11日， 欣銳科技（深圳欣銳科技股份有限公司（300745.SZ））宣布與ST Microelectronics卡塔尼亞公司雙方高層會晤并展開深度交流，此次交流將涉及從設計初期就開發創新的車載充電機OBC系統解決平臺方案，雙方達成一致并展開深度戰略合作。? ?
欣銳科技是全球最早實現碳化硅并批量交付的企業之一，第三代半導體SiC MOSFET應用的全球領航企業，開發的碳化硅雙向OBC產品出貨量已過百萬件。ST是欣銳科技的半導體供應商，早在2015年雙方就展開了合作，一直保持著友好穩定的合作關系。
4.賽米控丹佛斯與SK Inc. 簽署SiC合作協議10月24日，SK Inc. 與賽米控丹佛斯簽署協議，探討合作方案，聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，并將在近期成立聯合工作組（TF）。SK集團方面表示，與賽米控-丹佛斯的簽約有助于加強SK Chemicals子公司（包括SK Siltron 和SK powertech）之間的協同效應，并探索加強碳化硅領域競爭力的方法。? ?
10月28日，賽米控丹佛斯宣布已與韓國 SK 集團的控股和投資公司 SK Inc. 簽署諒解備忘錄 (MOU)，將共同致力于推進技術和解決方案以應對影響當今世界的五個全球大趨勢：氣候變化、城市化、數字化、電氣化以及食品和水供應。歡迎加入艾邦IGBT/SiC功率半導體產業鏈交流社群，了解更多功率半導體企業資訊，加強與產業鏈上下游企業交流合作，請掃描以下二維碼即可加入產業鏈微信群及通訊錄。
1.順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目簽約10月7日，石峰融媒發布表示株洲市石峰區已于近日舉行順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目簽約儀式。項目位于田心高科園，主要生產工業調頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風力發電用IGBT模塊等。該項目總投資7.5億元，預計在今年年底啟動建設，明年上半年正式投產，建成達產400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊，預計年產值8億元，帶動就業400人。?10月12日，乾晶半導體（衢州）有限公司碳化硅襯底項目中試線主廠房結頂儀式在智造新城東港八路78號一期地塊隆重舉行。施工單位中電二公司和乾晶半導體項目團隊僅用4個月中試車間金頂就順利完工，為接下來的潔凈間機電安裝、設備搬入和生產線調試奠定了堅實基礎。? ?3.杰平方半導體擬69億元在香港設立碳化硅8寸先進垂直整合晶圓廠?10月13日，香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，總投資額預計達到69億元。預計至2028年，可年產24萬片8寸碳化硅晶圓，每年生產總值達110億元，創造逾700個職位。? ?祈4.芯未半導體年產6萬片IGBT芯片一期項目全面通線投產?10月13日，成都高投芯未半導體有限公司一期通線儀式順利舉行，標志著芯未一期項目全面通線投產，芯未半導體項目推進邁出關鍵一步。本次通線投產后，將形成約6萬片/年IGBT晶圓（折合8寸）、120萬只/年功率模塊生產能力。?10月19日，正齊半導體年產六萬顆高階功率模塊研發生產項目在杭州蕭山經濟技術開發區舉行簽約儀式，該項目將在開發區投資建設第三代半導體模塊工廠。項目首期投資3000萬美元，總投資額將達10億元人民幣，規劃建設10條智能化模塊封裝生產與組裝線，滿足車規級與航天級的模塊生產線要求，每年將生產6萬顆高端航天及車規級IGBT與碳化硅芯片、模塊及器件等產品。目前，該項目已經開始裝修設計階段，預計于2024年中旬投產通線，達產后每年產值約5億元，二期總達產后年產值約25-30億元。10月23日，三安光電旗下湖南三安披露已實現8英寸襯底準量產，產品進入小批量生產及送樣階段，部分產品已進入主流新能源汽車企業供應鏈。9月初，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發8英寸SiC碳化硅襯底，正式躋身國內8英寸襯底陣列。? ?
碳化硅MOSFET方面，該公司推出的650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET產品均已處于客戶端導入階段，將逐步批量供貨；1200V /16mΩ車規級芯片已在戰略客戶處進行模塊驗證。此外，湖南三安與意法半導體在重慶設立的三安意法半導體（重慶）有限公司，承建的8英寸SiC器件廠項目前期相關審批事項已成功獲批，各項工作有序推進，預計2025年完成階段性建設并投產，2028年實現達產。作為配套，三安未來也將獨立建造及運營一個8英寸SiC襯底廠。
7.安森美韓國碳化硅工廠擴建正式落成，8英寸晶圓年產能上限將突破100萬10月24日，安森美（onsemi）宣布其位于韓國富川的先進碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片 200 mm SiC 晶圓。新的 150 mm/200 mm SiC 先進生產線及高科技公用設施建筑和鄰近停車場于 2022 年中期開始建設，并于 2023 年 9 月竣工。150 mm/200 mm SiC 外延 (Epi) 和晶圓廠的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川 SiC 生產線目前主力生產 150 mm 晶圓，在 2025 年完成200 mm SiC工藝驗證后，將轉為生產 200 mm 晶圓。?10月27日，賽晶科技旗下子公司賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司第二條IGBT封裝測試線正式投產。? ?賽晶半導體第二條封裝測試線的批量投產將進一步增加生產能力，以ED模塊為例計算，年產能由30萬件增至70萬件。第二條封裝測試線可以生產ED封裝、ST封裝，及EVD封裝等多個型號的IGBT封裝產品，將有效滿足市場對高端IGBT封裝產品的需求。
?10月17日，英飛凌工業半導體發布用于工業硬開關應用的大功率IGBT單管新品1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7。該系列新增兩款采用TO-247-3和-4的120A新產品，應用領域：太陽能系統解決方案、不間斷電源(UPS)、電動汽車充電、工業加熱和焊接電源。? ?10月19日，發布新品300A 1200V IGBT7三相橋EconoPACK?3。采用TRENCHSTOP? IGBT7技術的新品模塊具有同類產品最高的功率密度和最佳的電氣性能，可以減小系統尺寸或增大功率，應用于工業電機驅動和控制和伺服電機驅動和控制等領域。10月24日，發布20-40A 1400V R5L逆導型IGBT新品，優化了二極管和IGBT的性能，具有更高的阻斷電壓和集電極峰值電流能力，感應加熱設備可以實現更高的效率、更高的可靠性和精確的系統控制，在價格和性能之間實現了更好的權衡。? ?
?10月17 日， 東芝半導體宣布其碳化硅MOSFET產品已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。東芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款產品，包括5款1200V和5款650V產品。與第2代產品一樣，這些新一代MOSFET內置了與碳化硅MOSFET內部PN結二極管并聯的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD），從而提高了可靠性。東芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET擁有更低的功耗，適用于大功率且高效、高功率密度的各類應用，如開關電源（數據中心、服務器、通信設備等）、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器、電動汽車充電站等。?10月16日，科友半導體宣布首批自產8英寸SiC襯底于2023年9月在科友產學研聚集區襯底加工車間成功下線。此前，4月科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設，6月表示已突破了8英寸SiC量產關鍵技術，其8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。?10月17日，翠展微電子推出TPAK封裝產品，有標稱340A/750V的IGBT模塊，預計今年年底會推出具有更高電流能力的400A/750V的升級產品，同期也將推出5.5mΩ/1200V 的SiC 模塊，屆時，此封裝系列的產品可廣泛應用與新能源電驅系統及高壓大功率充電系統領域。? ?5.宏微科技IGBT模塊產品已完成問界新款車型主驅產品定點驗證測試?10月17日，宏微科技回應投資者在互動平臺向其的提問時表示：公司IGBT模塊產品已完成賽力斯汽車問界新款車型主驅產品定點驗證測試，后續將根據客戶需求逐步批量交付，具體合作細節涉及保密條款公司不方便透露。
江蘇宏微科技股份有限公司成立于2006年8月8日，2021年9月1日成功上市，宏微科技公司產品已涵蓋 IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產品100余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產品400余種。
6.凌銳半導體推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS?10月18日， 凌銳半導體宣布正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。凌銳表示新品SiC MOS已達量產階段，并在Q4實現客戶端批量交貨。? ?7.羅姆新增SiC和IGBT模型，可提供超過3,500種LTspice?模型?10月18日，羅姆宣布（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice?的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經陸續提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經提供超過3,500 種分立產品的LTspice?模型，這些模型從各產品頁面均可下載。目前，羅姆官網上發布的產品所對應的LTspice?模型覆蓋率已超過80%，有助于客戶利用嵌入了功率元器件等分立產品的電路仿真工具來提高設計便利性。? ??10月18日，宇晶股份宣布12月即將上線SP15008寸碳化硅專用四動作高精密磨拋設備新品。湖南宇晶機器股份有限公司成立于1998年，公司于2018年11月29日在深交所上市，是一家專注光伏新能源半導體及消費電子行業的智能裝備制造企業。公司主要從事多線切割機、研磨拋光機等硬脆材料加工裝備、金剛石線、熱場系統系列產品的研發、生產和銷售。? ??10月26-27日，基本半導體總經理和巍巍博士在2023基本創新日活動會上正式發布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅動器及驅動芯片等系列新品。10.意法半導體新品車規雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置?10月30日，意法半導體發布ACEPACK DMT-32系列車規碳化硅（SiC）功率模塊，新系列產品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝，目標應用是車載充電機（OBC）、DC/DC直流變壓器、油液泵、空調等汽車系統，產品優點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統設計靈活性。新模塊內置1200V SiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有很低的導通電阻RDS(on)。該封裝技術采用高性能氮化鋁 (AlN) 絕緣基板，在封裝內還有一個NTC溫度傳感器。本次推出的 M1F45M12W2-1LA是ACEPACK DMT-32系列的首款產品，從2023 年第四季度開始量產。M1F80M12W2-1LA、M1TP80M12W2-2LA、M1P45M12W2-1LA、M1P80M12W2-1LA、M1P30M12W3-1LA 樣片現已上市，從2024年第一季度開始量產。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：10月 IGBT/SiC 最新資訊匯總
