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高壓大功率IGBT模塊所產生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導到外殼而散發出去的,因此陶瓷覆銅板是電力電子領域功率模塊封裝的不可或缺的關鍵基礎材料。目前市場上有DBC、AMB、DPC等多種陶瓷覆銅板,DBC陶瓷覆銅板因其超高性價比,市場份額超過70%。

centrotherm的DBC燒結爐將在中國生產

一、DBC陶瓷覆銅板工藝簡介

直接覆銅(Direct Bonding Copper, 簡稱DBC)陶瓷基板是一種將高絕緣性的氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基板覆上銅金屬的新型復合材料。經由1065~1085°C的環境加熱,使銅金屬因高溫氧化、擴散與陶瓷產生共晶熔體,使銅與陶瓷基板黏合,形成陶瓷復合金屬基板;然后根據線路設計菲林貼膜曝光顯影,通過刻蝕方式制備線路基板。

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DBC陶瓷覆銅板制造的核心工藝是陶瓷表面金屬化技術,Al2O3和AlN陶瓷基板的表面金屬化技術大致相同。Al2O3陶瓷基板為例,通過在含氧的N2氣氛中,將陶瓷基板加熱,使銅箔直接焊覆在Al2O3基板上。在陶瓷表面金屬化過程中,Cu原子與O原子形成的Cu2O共晶液相,濕潤了互相接觸的銅箔和Al2O3陶瓷表面,同時還與Al2O3發生反應,生成Cu(AlO2)2, Cu(AlO2)等復合氧化物,充當共晶釬焊用的焊料,使二者牢固地結合在一起。AlN陶瓷基板是一種非氧化物陶瓷,覆接銅箔的關鍵是使其表面形成符合上述覆接條件的過渡層。在過渡層上覆接銅箔的機理與Al2O3陶瓷基板大致相同。

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DBC陶瓷覆銅板工藝流程

該技術是上世紀70年代初由美國通用電氣(GE)公司研發成功。由于該鍵合技術工藝復雜,后續工藝工序繁瑣以及專用工藝設備的限制,致使在DBC技術研發成功的最初十幾年內,幾乎未能形成DBC陶瓷覆銅板的規模生產。但DBC陶瓷覆銅板的各種優異特性引起美國和西歐大型器件公司的高度重視,經過扎實研發解決了銅和陶瓷的浸潤工藝,使DBC陶瓷覆銅板實現了良好的分子鍵合,大大提高了DBC陶瓷覆銅板的性能。

二、centrotherm的DBC燒結爐

centrotherm(簡稱CT)是一家具有70多年歷史的設備制造商,總部位于德國Blaubeuren。熱處理生產解決方案和鍍膜技術是CT的核心競爭力之一。除了晶圓制造、模塊封裝以及光伏等增長型領域,CT的創新解決方案也被應用于碳纖維生產等面向未來的新領域。

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CT的直接銅鍵合(Direct Copper Bonding)燒結爐是DBC陶瓷覆銅板制造過程中的核心設備,該設備在直接銅鍵合應用上提供了可靠的工藝方案及優異的工藝性能,以確保經濟和高效生產。目前全球前三大DBC陶瓷覆銅板制造商都是CT的客戶。

長期以來,該設備都在德國Blaubeuren生產,為了適應市場需求,逐步縮短設備交期和降低設備價格,未來該款設備將會在CT的昆山工廠進行生產。昆山工廠的第一臺DBC燒結爐計劃于明年中交付給客戶。

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主要設備參數c.DCB
最高溫度1160°C
傳送帶溫度均勻性(鍵合區域)± 1.5 K
工藝氣體Nitrogen (N2), air, Oxygen (O2)
傳送帶速50 – 300 mm/min
傳送帶寬度400 mm
傳送帶上方高度70 mm
設備長度17000 mm
加熱區數量16
設備重量12000 kg
最大功率200 kW
三、centrotherm的真空焊接爐
除了上述c.DCB燒結爐在昆山工廠生產外,CT的 c.VACUNITE系列真空焊接爐也會在昆山工廠生產,并且第一臺c.VACUNITE系列設備已經完成出貨。c.VACUNITE系列真空焊接爐基于使用目的和使用場景的不同,從實驗機到量產機共分為6種不同的機型。目前,世界范圍內累計出貨量已經超過350臺。

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該系列真空焊接爐可滿足在先進封裝和功率半導體封裝中對超潔凈無空洞焊接的最高要求。在IGBT和SiC模塊封裝方面,其功能是完成芯片和DBC陶瓷覆銅板的焊接,完成DBC/AMB陶瓷覆銅板和銅底板/熱沉的焊接。c.VACUNITE真空焊接系統可在100%純氫氣(H2),甲酸(HCOOH)或混合氣體(H2/N2)氣氛下進行工藝,焊接空洞率可低至1%以下。

其中,最新型號c.VACUNITE 300A可搭配自動化上下料,實現在線大規模生產。同時模塊化的設計理念,讓客戶后續擴產更便捷。

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原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):centrotherm的DBC燒結爐將在中國生產

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