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近日
中建一局中標
武漢長飛第三代半導體功率器件生產項目
助力武漢打造
集成電路芯片和半導體產業高地

 

中標！打造國內最大的SiC功率半導體制造基地
△項目效果圖

 

項目位于武漢市東湖高新區
建筑總面積約25.15萬平方米
建設內容包括廠房、綜合樓等
建成后將打造從外延生長、器件設計
晶圓制造到模塊封測的全產業鏈能力
預計年產6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片
功率器件模塊6100萬個
廣泛覆蓋新能源汽車、光伏
儲能、充電樁、電力電網等領域

 

△項目總平圖

 

該項目是響應國家
“創新驅動發展戰略”的重大舉措
建成后將成為國內最大的
SiC功率半導體制造基地
推動長飛先進半導體成為
中國第三代半導體產業領頭羊
助力武漢打造世界級化合物半導體產業高地
為高科技產業新升級貢獻央企力量

 

來源：中建一局公眾號

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：中標！打造國內最大的SiC功率半導體制造基地

作者 li, meiyong

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