在工業以及社會基礎設施的電氣化、電動化核心元器件——功率半導體領域，國內外持續拓展IGBT、SiC相關業務。據小編統計，在11月，有20余家企業通過投融資并購、簽署合作訂單、項目簽約及開工投產、發布新品新技術等方式在IGBT/SiC方面持續發力。其中8家企業對涉及IGBT、SiC業務的相關企業進行投融資收購，6家企業簽署合作訂單、12家企業有項目簽約或開工投產有新進展、3家企業發布推出相關新品。
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2）電裝投資Coherent子公司SiC晶圓制造企業Silicon Carbide LLC
8）羅姆完成對Solar Frontier 原國富工廠的收購
1）三菱電機和安世半導體將合作共同開發碳化硅功率半導體
2）現代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導體長期供貨協議
4）晶盛機電6英寸、8英寸碳化硅襯底片項目正式簽約啟動 ? ?
6）粵海金半導體順利研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片
9）致瞻科技第20000臺乘用車碳化硅電動壓縮機控制器成功下線
10）比亞迪功率器件和傳感控制器件研發及產業化項目一期竣工
11）意法半導體計劃投資50億歐元新建SiC晶圓廠
2）基本半導體發布汽車級DCM碳化硅MOSFET模塊Pcore?2
11月2日，株式會社日立制作所將全資子公司株式會社日立功率半導體的全部股份轉讓給美蓓亞三美株式會社，當日簽訂合同。
日立功率半導體成立于2013年10月，其目的是整合日立與日立原町電子工業株式會社的相同業務，構建功率半導體業務從設計、制造到銷售的一條龍體制，此后將以"IGBT?SiC"、"高耐壓IC"、"二極管"這三種產品作為核心產品陣容，利用高耐壓和低損耗技術，提供高附加值的產品。
2.電裝投資Coherent子公司SiC晶圓制造企業
11月6日，株式會社電裝宣布對Coherent Corp.的子公司SiC晶圓制造企業Silicon Carbide LLC注資5億美元，并獲得該公司12.5%的股權。電裝本次出資將實現6英寸和8英寸 SiC晶圓的長期穩定采購。
11月8日，聞泰科技發布公告表示全資子公司?Nexperia B.V.(簡稱“安世半導體”)擬轉讓 NEPTUNE6LIMITED 100%股權，受讓方為紐約證券交易所上市公司Vishay?Intertechnology,Inc.的全資子公司Siliconix Incorporated，本次交易金額基礎值為1.77億美元(含安世半導體對標的公司的債權)，Vishay將為本次交易提供擔保。
11月9日，斯達半導體（上海）有限公司成立，由斯達半導體100%控股，注冊資本5000萬元，經營范圍包含：半導體分立器件銷售；集成電路芯片及產品銷售；集成電路芯片設計及服務等。
斯達半導體長期致力于IGBT、快恢復二極管、SiC等功率芯片的設計和工藝及IGBT、MOSFET、SiC等功率模塊的設計、制造和測試。IGBT模塊的是公司的主要產品。
11月13日，賀利氏（Heraeus）官網宣布收購法德合資初創公司碳化硅（SiC）襯底供應商Zadient的多數股份，進入SiC粉料和SiC晶錠生長領域。Zadient通過化學氣相沉積（CVD）工藝生產高純度碳化硅源材料，并開發高產量大直徑晶體生長技術。
有消息稱，華索（蘇州）科技有限公司與Zadient經過多年科研攻關，已攻克氣相法（CVD工藝）批量生產高純SiC粉的技術障礙，生產出3C相β型的SiC微粉，純度達到6N-9N；顆粒均勻，粒徑主要分布在1-12mm，形態為顆粒狀。據了解，這種粉料是生產高端SiC襯底器件的原料，如SiC襯底、光刻吸盤、檢測吸盤、精密運動平臺、蝕刻環節的高純SiC部件、封裝檢測環節中精密運動系統等。
11月14日，熾芯微電子科技（蘇州）有限公司宣布完成Pre-A輪融資，本輪融資由中關村協同創新直投基金、納川同和基金、毅達資本和蘇州恩都法汽車系統有限公司共同投資，融資主要用于首期生產能力建設包括萬級潔凈廠房建設、生產設備及實驗室設備采買。?
熾芯微電子成立于2023年5月18日，是一家專注碳化硅塑封功率模塊封測的研制商，矢志研發并生產具備全自主知識產權的新型功率模塊封裝和測試技術。
11月15日，重慶云潼科技有限公司獲兩江產業集團旗下創投公司千萬級股權投資。本輪資金將主要用于新品研發、工廠設備投入，及加速現有產品量產等方面。此前，云潼科技已完成A輪數億元融資，受到半導體產業投資機構青睞。
云潼科技是一家聚焦車規級功率芯片、模塊、驅動系統解決方案，全鏈條自主可控的半導體Fablite公司。公司當前業務以新能源汽車市場為主，擁有IGBT、MOS單管及模塊等產品線，首創車用六合一PIM MOS模塊，產品應用于主驅逆變器、底盤域、熱管理領域、車身域等，服務車型100+，已實現在國內各大主機廠主流車型中批量出貨。
8.羅姆完成對Solar Frontier原國富工廠的收購
11月15日，全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）依據與Solar Frontier Co., Ltd.簽訂的基本協議，完成對該公司原國富工廠的資產收購工作。該工廠經過修整之后，將作為羅姆旗下制造子公司—藍碧石半導體公司的宮崎第二工廠投入運營。目前計劃作為SiC功率半導體的主要生產基地于2024年年內投產。
1.三菱電機和安世半導體將合作共同開發碳化硅功率半導體
11月13日，三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發SiC分立器件。
三菱電機曾于2010年推出了全球首款用于空調的SiC功率模塊，并于2015年成為新干線子彈頭列車全SiC功率模塊的首家供應商。
2.現代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導體長期供貨協議
11月15日，英飛凌官網宣布英飛凌科技與現代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體長期供貨協議。英飛凌將建設并保留向現代/起亞供應碳化硅及硅功率模塊和芯片的產能直至 2030 年，現代/起亞將出資支持這一產能建設和產能儲備。
英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場，在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。隨著居林晶圓廠的大幅擴建，英飛凌將建成全球最大的200mm SiC功率半導體晶圓廠，并進一步鞏固自身作為汽車行業優質批量供應商的領先地位。
11月28日，以半導體芯片為主導產業的海南航芯高科技產業園項目在海口竣工投產。當天，汽車芯片制造企業、上海積塔半導體有限公司與海南航芯項目方簽下一紙戰略合作協議。
依托CIDM模式，目前，首批產品已在海南航芯完成封測，并被送往客戶企業進行終端驗證。據相關負責人介紹，海南航芯項目首期投資21億元，規劃建設20條產線，包括10條半導體功率模組生產線和10條芯片封測生產線，預計今年春節前，第二條產線即可投產。
11月1日，智新科技宣布近日首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。
智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發，2022年12月正式立項為量產項目。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續航里程提升5%-8%。
11月1日，中電化合物宣布已于10月31日順利完成客戶首批次8吋SiC外延片產品的交付。技術指標上，8吋SiC外延片厚度均勻性可實現≤3%、摻雜濃度均勻性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm2。
中電化合物成立于2019年11月1日，自主研發、生產的6吋碳化硅晶錠、襯底片和外延片早已實現穩定量產。
11月1日，華索科技宣布順利完成首次大批CVD長晶粉的訂單交付。此次交付訂單是10月份華索在8吋碳化硅產品的研發和生產上獲得了重大進展后接到的國際某頭部客戶年50噸中批量訂單。
華索科技成立于2020年10月13日，提前布局國內碳化硅CVD粉工廠新工廠擴產建設，目前正積極突破年產能500噸以上，國內第一家最早實現CVD粉大批量量產并降低成本，配合全球碳化硅市場的市場爆發。
4.晶盛機電6英寸、8英寸碳化硅襯底片項目正式簽約啟動
11月4日，晶盛機電舉行“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，項目總投資21.2億元。
晶盛機電自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝的研發，相繼成功開發6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內為數不多能供應8英寸襯底片的企業。目前，公司已建設了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。
11月14日，長城控股旗下芯動半導體自研自產的GFM平臺 750V/820A IGBT功率模塊順利量產裝車，首次實現在新能源汽車主驅控制器中的規模化應用。該項目從立項研發到裝車僅14個月，產品于2023年6月通過第三方車規級AQG324認證，并完成包括環境測試、壽命測試等34項電驅動及整車試驗，最終獲得整車質量認可并成功裝車。
目前芯動半導體已形成平臺化開發模式，在相同封裝下兼容模塊電流規格550A-950A，全面覆蓋功率等級80kW-200kW，將逐步實現批量裝車及量產，同步開發的800V高壓模塊產品采用全新封裝形式結合SiC技術應用，支持整車高壓化平臺需求。此前，芯動半導體第三代半導體模組封測制造基地項目——無錫工廠已于10月28日實現首條產線通線。
6.粵海金半導體順利研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片
11月20日，山東粵海金半導體科技有限公司宣布成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片。其自主研制的碳化硅單晶生長爐上可成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型碳化硅晶體，晶體表面光滑無缺陷，厚度超過20毫米，同時已順利加工出8英寸碳化硅襯底片。
11月19日，江蘇摩派半導體有限公司總經理高乾表示摩派功率器件項目一期1號廠房已正常運營投產產出；2號廠房正在進行內部裝修，部分設備已進場，預計11月底試生產；3號廠房計劃在12月底完成裝修，設備進場調試。
該項目由四川華爾科技有限公司和江蘇摩派半導體有限公司投資興建，總投資6.6億元。一期投資2.6億元，使用3棟標準廠房2.6萬平方米，新上功率器件封裝測試生產線20條。一期項目整體達產后，可年產IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片20億顆，年產值7.2億元。
11月22日，由中國電科二所所負責實施的中國電科（山西）三代半導體技術創新中心主體結構順利封頂。
中國電科（山西）三代半導體技術創新中心位于山西綜改示范區瀟河新興產業園區，包括東區占地203畝的三代半導體技術創新中心試驗驗證線及配套項目，西區占地312畝的微電子智能制造產業基地項目，計劃總投資12.7億元，分兩期建設。一期項目建成后，具備年產600臺/套智能制造裝備、24000片/年陶瓷基板和電路模塊的能力，建成6英寸寬禁帶半導體制造裝備工藝驗證平臺和共性技術研發平臺。
9.致瞻科技第20000臺乘用車碳化硅電動壓縮機控制器成功下線
11月24日，致瞻科技第 20000臺碳化硅電動壓縮機控制器舉行下線儀式，標志著致瞻在車用空調熱管理這一垂直細分行業產業化方面，取得了從0到1的突破。
此前致瞻于2022年落戶嘉善縣姚莊鎮建成的生產總部產線的自動化率達到了100%，已通過IATF16949質量體系認證。
10.比亞迪功率器件和傳感控制器件研發及產業化項目一期竣工
11月28日，比亞迪功率器件和傳感控制器件研發及產業化項目一期竣工，項目總投資100億元，用地417畝，一期項目研發生產的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。項目建設年產72萬片功率器件產品和年產60億套光微電子產品生產線，達產后可實現年產值150億元。
在集成電路領域，能夠自己設計、生產晶圓的企業稱為IDM企業，全球代表性的IDM企業有英特爾、三星等。比亞迪項目一期投產填補了集成電路產業大型IDM企業空白，對建設集成電路產業集群意義重大。
11.意法半導體計劃投資50億歐元新建SiC晶圓廠
11月26日，法國雜志UsineNouvelle報道稱意法半導體（）STMicroelectronics）繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后，為平衡集團在意法兩國布署，亦將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅巨型半導體晶圓廠，專門生產碳化硅芯片。
此前，意法半導體6月7日在官網宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業司，預計2025年第四季度投產，預計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。該合資公司將采用意法半導體專有的碳化硅制造工藝技術，達產后可生產8英寸碳化硅晶圓10,000片/周。為意法半導體專門生產碳化硅器件，并作為意法半導體的專用代工廠，以支持其中國客戶的需求。
12.中建一局宣布中標武漢長飛第三代半導體功率器件生產項目
11月29日，中建一局宣布中標武漢長飛第三代半導體功率器件生產項目，項目位于武漢市東湖高新區建筑總面積約25.15萬平方米建設內容包括廠房、綜合樓等建成后將打造從外延生長、器件設計晶圓制造到模塊封測的全產業鏈能力預計年產6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片功率器件模塊6100萬個，廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網等領域。
1.中恒微半導體LightEV系列SiC新品——2V006E120T1P
11月3日，中恒微半導體發布LightEV系列SiC新品——2V006E120T1P。該產品是中恒微半導體新一代的SiC MOSFET功率模塊，產品為HalfBridge電路拓撲，Voss=1200V，l=200A，使用先進的插針工藝，內部集成NTC并結合Si3N4覆銅陶瓷基板。適用于DC/DC變換器、太陽能應用、UPS 儲能等應用領域。
2.基本半導體發布汽車級DCM碳化硅MOSFET模塊Pcore?2
11月23日，基本半導體發布新品汽車級DCM碳化硅MOSFET系列模塊PcoreTM2，該模塊是采用溝槽型碳化硅MOSFET芯片的低導通電阻轉模型功率模塊，是基本半導體專為新能源汽車主驅逆變器應用設計的一款高功率密度的碳化硅功率模塊。
該產品為業內主流DCM封裝模塊，采用先進的有壓型銀燒結工藝和高性能粗銅線鍵合技術，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin結構。產品具有低動態損耗、低導通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點，可支持連續運行峰值結溫至175℃，以及具備650Arms以上連續峰值相電流輸出。
11月23日，宏微科技推出1700V IGBT系列產品，不僅在芯片性能上進行了改進，還在封裝形式上進行創新，有效地降低了功耗，提升了效率；還具有更出色的可靠性能力，HV-H3TRB、防硫化等使其在實際應用中表現更加優秀，廣泛應用于高壓變頻、SVG、儲能等領域。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊，只用1個模塊即可完成3個模塊的工作，同時還內置了NTC熱敏電阻，以輔助實際工作中的溫度監控。與原先方案對比，1個一體化 IGBT模塊構成高壓變頻器的1個單元，使系統級聯設計變得更容易。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：聚焦 IGBT/SIC，202311期月報資訊匯總
