12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產業基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延產品下線，標志著國盛公司已步入第三代半導體產業發展的快車道。硅基氮化鎵材料擁有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優勢，同時整體具有更大的成本優勢，具有極高的競爭力。國盛公司制備的硅基氮化鎵外延片，可以滿足電力電子用氮化鎵器件的需求。自電科材料南京外延材料產業基地項目投產以來，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后實現客戶交付，如今高質量的硅基氮化鎵外延材料順利下線，標志著國盛公司產品多元化布局初步完成。下一步，國盛公司將繼續按照集團公司、電科材料戰略部署，著力加強關鍵核心技術攻關，完善產品設計和成果轉化，持續調整產業結構和布局，實現核心關鍵材料的自主保障和高端半導體外延材料的自主創新發展，為電科材料成為世界一流的半導體材料創新中心和產業基地貢獻國盛力量。來源：中電材料
