隨著中國新能源汽車市場的迅猛發展，市場對高性能、高可靠性的國產功率半導體的需求將持續增長。據小編統計，在12月，有20余家企業通過投融資并購、簽署合作訂單、項目簽約及開工投產、發布新品新技術等方式在IGBT/SiC方面持續發力。其中10余家企業新動作與新能源汽車相關，7家企業對涉及IGBT、SiC業務的相關企業進行投融資收購，8家企業簽署合作訂單、13家企業有項目簽約或開工投產有新進展、多家企業發布推出相關新品。
4）意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場
1）佰維存儲晶圓級先進封測制造項目正式落地
2）廣汽中車共同投資企業廣州青藍舉行IGBT投產儀式
3）芯塔電子車規級SiC?MOSFET進入批量導入階段
4）貝茵凱成功量產全自主大功率IGBT
5）吉盛微（武漢）SiC制造基地正式投產
6）創銳光譜：碳化硅（SiC）襯底位錯缺陷快速無損光學檢測取得突破性進展
7）翠展微三期項目封頂，建成可達產IGBT模塊300萬套/年
8）晶盛機電8英寸SiC襯底已實現量產
9）通用智能sic晶錠8寸線剝離量產設備交付客戶
10）愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實現量產
11）國盛公司第一枚硅基氮化鎵外延片正式下線
12）長飛先進首顆自研SiC芯片試產
13）晶能擴建車規?Si/SiC?產線、半橋模塊項目開工
12月1日，河北同光半導體股份有限公司（簡稱“同光股份”）宣布已于近日完成F輪融資。本輪融資規模為15億元，將用于進一步加速重點項目布局，加筑技術壁壘，構建企業級生態體系，培養第三代半導體行業人才。
同光股份成立于2012年，位于保定國家高新技術開發區，是中科院半導體所的合作單位，主要從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發、生產和銷售。公司主要產品包括6/8英寸導電型和高純半絕緣型碳化硅襯底。
12月4日，江蘇卓遠半導體有限公司宣布獲得凱得粵豪2400萬元的財務投資，12月12日宣布獲得東方國資旗下基金財務投資4000萬元，12月29日宣布獲深投控資本投資。
卓遠半導體成立于2018年，專注于第三代寬禁帶半導體晶體材料及其裝備的研發生產與制造，擁有自主知識產權的SiC襯底材料制備及芯片設計核心技術，自主研發的MPCVD金剛石長晶爐打破了“瓦森納協定”對我國半導體行業的技術封鎖，目前在MPCVD金剛石設備及基片市場占有率達35%，是國內MPCVD先進材料設備龍頭企業。此前5月底，卓遠半導體金剛石基片產線項目入駐二期，主要產品為MPCVD金剛石裝備及金剛石基片、SiC長晶設備及SiC襯底片等。
12月14日，江蘇超芯星半導體有限公司（以下簡稱“超芯星”）宣布完成C輪融資，本輪融資金額數億元人民幣。
超芯星于2019年4月在江蘇南京成立，致力于6-8英寸碳化硅襯底技術的開發與產業化。目前公司晶體生長、加工、檢測全線貫通，已實現6英寸車規級碳化硅襯底的量產出貨，并已與國內知名下游客戶簽訂了8英寸碳化硅深度戰略合作協議。
12月22日，深圳市至信微電子有限公司宣布近日完成了數千萬元A輪融資，本次融資資金將用于加速公司產品研發、團隊擴建以及市場拓展等。
至信微電子成立于2021年，是一家專注于碳化硅功率器件研發的高科技公司，主打產品為碳化硅MOSFET及模組等系列產品。公司推出的碳化硅器件產品目前已在光伏、新能源汽車、工業等領域獲得客戶認可。
12月22日，泛半導體測試設備研發生產企業廣州諾頂智能科技有限公司（以下簡稱“諾頂智能”）于近日完成數千萬元B輪融資，本輪融資資金將主要用于產能擴張和補充營運資金，全方位加強人才競爭優勢和產品研發能力。此前，公司已獲中芯聚源、康橙資本、番禺產投和廣州基金的投資。
目前，諾頂智能已陸續推出多合一測試機、陶瓷封裝AOI、高速插針機、新能源壓接機、芯片倒裝貼合機等多款設備，廣泛應用于特種被動元器件、先進封裝和新能源器件等領域。
12月28日，清純半導體宣布已于近日完成數億元Pre-B輪融資，這是清純半導體繼今年4月份完成數億元A+輪融資以來的又一融資進展。本次融資將用來進一步完善供應鏈布局、擴大團隊、加大在新產品和新技術領域的研發投入，持續加強技術領先及完善產品系列。
清純半導體是目前國內極少數能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、基于國內產線量產車規級SiC MOSFET的企業，公司系列產品已經在新能源發電、新能源汽車等領域得到廣泛應用。
12月30日，浙江晶能微電子有限公司宣布完成 A+輪融資，這是繼華登領投 Pre-A 輪、高榕領投 A 輪后，晶能微電子完成的第三輪融資。
晶能微電子為吉利旗下功率半導體公司，近期，晶能微電子秀洲生產基地開工建設，該基地是晶能微電子繼余杭工廠（全橋模塊）、溫嶺工廠（單管封裝），建設的第三座生產基地，主要補齊新一代高性能塑封半橋模塊的研發制造能力。
12月1日，芯動半導體與博世汽車電子在上海簽署長期訂單合作協議。此次戰略合作主要集中于SiC業務，代表著功率模組公司和OEM對上游芯片資源提前鎖定的產業趨勢，將有助于芯動半導體SiC業務穩步發展。
芯動半導體主營業務為功率半導體模塊及分立器件的研發、設計、封裝、測試和銷售，為長城汽車新能源市場提供核心技術和產品支撐。
12月18日，上海積塔半導體有限公司宣布已于11月30日與中汽創智科技有限公司進行戰略協作簽約，并進行首批自主研發的1200V 20mΩ SiC MOSFET交付儀式。此次戰略合作協議的簽署體現了中國第三代半導體企業上下游聯動的“一站式”能力。
12月19日，世紀金芯宣布已于近日與湖南S公司已正式簽訂戰略合作協議，雙方將圍繞SiC單晶襯底在業務和技術方面推行戰略合作，年合作不低于5w片，交易金額2個億以上。
世紀金芯半導體有限公司產品覆蓋6寸、8寸的SIC襯底片，目前合肥工廠已正式投產，包頭年產70萬片8英寸工廠正在緊張建設中，預計2024年底一期項目正式投產。湖南S公司成立時就專業從事化合物半導體制造，擁有中國第一家6寸化合物半導體晶圓代工廠，服務于全球各地的微電子及光電市場。
4.意法半導體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場
12月22日， 意法半導體宣布與中國新能源汽車理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。
理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET先進技術，具有率先行業的工藝穩定性、性能、能效和可靠性。
12月1日，深圳佰維存儲科技股份有限公司宣布其晶圓級先進封測制造項目正式落地東莞松山湖高新技術產業開發區。
佰維存儲（688525）成立于2010年，專注于存儲芯片研發與封測制造，構筑了研發封測一體化的經營模式，在存儲介質特性研究、固件算法開發、存儲芯片封測、測試研發、全球品牌運營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設計、先進封測、芯片測試設備研發等技術領域。
2.廣汽中車共同投資企業廣州青藍舉行IGBT投產儀式
12月6日，中車時代電氣宣布廣州青藍半導體有限公司（以下簡稱“廣州青藍”）IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）投產儀式在廣州青藍公司現場圓滿舉行。
廣州青藍由廣汽部件與株洲中車時代半導體共同投資成立，主要圍繞新能源汽車自主IGBT領域開展技術研發和產業化應用。本次投產儀式的舉行，標志著廣州青藍IGBT項目（一期）全面投產，邁出了關鍵的一步。
3.芯塔電子車規級SiC MOSFET進入批量導入階段
12月6日，芯塔電子宣布自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證，目前此款產品已在頭部OBC企業通過測試，進入批量導入階段。
包括之前通過測試認證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD產品在內，芯塔電子已有兩款核心產品通過此項認證。截至目前，芯塔電子SiC MOSFET已經在博蘭得等近十家充電樁下游客戶批量導入。
12月8日，北京貝茵凱微電子有限公司（以下簡稱貝茵凱）宣布成功量產全自主研發的第一款第七代大功率IGBT，該產品采用“微溝槽柵+深層場截止”結構，并已于今年7月在12英寸晶圓上成功下線。
貝茵凱于2022年創立，是以高端功率半導體設計、研發、生產制造及產品應用整合為主要業務的高科技企業。2023年7月貝茵凱成功研發全自主的“第七代大功率IGBT”，并于12英寸晶圓上成功面世；2023年10月1200V 200A第七代IGBT產品進入量產階段；2024年貝茵凱將推出全自主研發設計的全系車規級大功率碳化硅MOS產品。
12月8日上午，吉盛微（武漢）新材料科技有限公司SiC制造基地啟用儀式在綜保區加工貿易工業園舉行并正式投產。項目總投資約15億元，6月啟動生產線設計施工，8月入駐試生產，項目預計2027年達產，可實現年銷售收入10億元。
吉盛微為盛吉盛（寧波）半導體科技有限公司于2023年3月在武漢投資成立，主要從事半導體及泛半導體設備用CVD Sic原材料及Sic 部件、超高純高精密陶瓷材料及部件、Sic Epi Wafer、CVD Sic設備的研發及生產制造，致力于推進半導體設備和關鍵零部件國產化。
6.創銳光譜：碳化硅（SiC）襯底位錯缺陷快速無損光學檢測取得突破性進展
12月12日，大連創銳光譜科技有限公司宣布近日在碳化硅（SiC）襯底晶圓位錯缺陷的無損光學檢測技術方面取得突破性進展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯無損檢測專用設備：SIC-SUB-9900。
該設備基于瞬態激發和散射光譜原理，采用大面積光學成像，實現了SiC襯底晶圓位錯缺陷的高速、精準、非接觸式的無損光學檢測。結合AI識別，可對襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實現精準的識別和分類（以目前行業中廣泛應用的堿液腐蝕法的結果為參照，識別準確率達到90%以上）。
7.翠展微三期項目封頂，建成可達產IGBT模塊300萬套/年
12月12日，浙江翠展微電子有限公司三期項目——擴建年產300萬套IGBT模塊項目于浙江嘉善封頂，項目總投資15億元，建筑總面積近10萬平方米，建成達產后將實現年產300萬套IGBT模塊的生產能力，預計年產值10億元。
浙江翠展微電子有限公司成立于2018年5月，于2020年11月正式簽約落戶嘉善，同時啟動第一條產能20萬套/年的汽車級IGBT模塊封測線建設，并于2021年11月建成投產，2022年下半年擴產至100萬套/年，三期項目于2023年6月19日開工，預計2024年5月首批約5條產線正式投產，同時新工廠將會投建1~2條SiC器件產線，預計2025年正式投產。
12月13日，晶盛機電攜高品質8英寸碳化硅襯底片和8英寸外延生長設備首次亮相SEMICON JAPAN 2023日本東京半導體展，并表示6英寸和8英寸碳化硅襯底片已實現批量生產。
晶盛機電自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝的研發，于2018年成功研發出6英寸碳化硅晶體生長爐，于2020年建立長晶和加工研發實驗線，于2022年成功研發出8英寸N型碳化硅晶體，2023年11月，公司正式啟動進入了碳化硅襯底項目的量產階段，并于11月4日與杭州灣上虞經濟開發區舉行“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，項目總投資21.2億元。
12月16日，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現8寸碳化硅晶錠剝離設備的量產。
12月21日，深圳愛仕特科技有限公司 (以下簡稱“愛仕特”)宣布2022年研發的“1700V碳化硅功率模塊”已經實現產業化，這是我國市場上國內量產的首款高性能碳化硅功率模塊，填補了國內相關半導體分立器件制造的部分空白，且產品已通過歐洲航空行業相關認證，并進入了歐洲航空制造業采購目錄。
愛仕特成立于2017年12月，專注于從事 SiC MOS 芯片研發及功率模塊生產，目前已量產650V、1200V、1700V、3300V等不同電壓等級的SiC MOSFET和SiC功率模塊，以及基于SiC功率器件的整機應用系統解決方案，各項性能指標達到國際水平，提供各類規格參數的SiC MOS定制化服務。
12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產業基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延產品下線，標志著國盛公司產品多元化布局初步完成。
國盛電子前身為中電科55所材料研究室外延組，從上世紀八十年代開始從事外延材料的研發、產業化工作，2003年成立公司，專業從事硅材料、碳化硅、氮化鎵等材料的研發、生產。2023年11月10日，國盛電子的外延材料產業基地宣布正式投產運行，項目一期投資19.3億元，年產8-12英寸硅外延片456萬片，年產6-8英寸化合物外延片12.6萬片。
12月27日，長飛先進發布公司的2023年度大事記中提到了公司自研芯片的進展：12月長飛先進首顆自研產品1200V 20A SiCSBD正式進入試產階段，標志著公司已具備碳化硅產品自主研發及量產能力。
長飛光纖于2022年5月完成對蕪湖啟迪半導體有限公司及蕪湖太赫茲工程中心有限公司的收購與整合，并將公司更名為安徽長飛先進半導體有限公司。當前，長飛已形成了從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的完整產業鏈布局，擁有專業的SiC晶圓代工服務體系以及完整的650V-3300V SiC產品矩陣、自主知識產權的1200V Gen3 SiC MOSFET設計及工藝平臺。
13.晶能擴建車規 Si/SiC 產線、半橋模塊項目開工
12月28日，吉利旗下功率半導體公司晶能微電子啟動一期擴建項目的開工儀式，項目落地浙江溫嶺，計劃投建一條車規級 Si/SiC器件先進封裝產線，總投資超億元，擴建總面積為5800㎡，預計2024年6月投產，年產超3.96億顆單管產品。
12月29日秀洲生產基地開工建設，位于嘉興國家高新區，一期項目包括投建一座6英寸FRD晶圓廠和60萬套半橋模塊生產線，占地95.4畝。
12月4日，Nexperia（安世半導體）宣布于近日推出其首款碳化硅（SiC)）MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 產品組合中首批發布的產品，隨后 Nexperia 將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業應用對高性能 SiC MOSFET 的需求。
12月21日， 湖北九峰山實驗室宣布實驗室在碳化硅超結領域取得新進展：完成具有完全自主知識產權的碳化硅多級溝槽超結器件新結構設計，優化后的超結肖特基二極管可以實現2000V以上的耐壓，比導通電阻低至0.997m?·c㎡，打破了碳化硅單極型器件的一維極限。同時該超結器件的多級溝槽刻蝕核心工藝研發也已完成。
此前8月1日，九峰山實驗室宣布6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：聚焦 IGBT/SIC，202312期月報資訊匯總
