• 意法半導體×致瞻科技：SiC賦能新能源汽車空調壓縮機設計創新

• 博藍特：SiC襯底項目計劃落地

• 森未科技×東方自控：合作國產功率器件開發與應用

• 飛锃半導體：1200VSiC器件累計出貨2400萬顆

• 三星電子×SK海力士主導：韓國建設世界最大半導體產業集群

• 新思科技：350億美元收購Ansys

• 瞻芯電子：推出第二代650V車規級SiC MOSFET助力高效高密應用

1月18日，意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于SiC半導體功率模塊和先進力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代SiC MOSFET技術。

根據意法半導體的披露，采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續航里程可延長5到10公里，在夏冬兩季的效果尤為明顯。

致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產基于碳化硅方案的空調壓縮機控制器的供應商，致瞻科技官微2323年11月25日公布，第20000臺碳化硅電動壓縮機控制器下線，出貨量可觀。

致瞻科技的電動汽車空調壓縮機控制器選用了意法半導體第三代1200V SiC MOSFET技術，結合致瞻科技專有的散熱解決方案和熱保護設計，可以極大提高電動汽車的熱管理能效，提升空調壓縮機的NVH性能（噪音，震動和聲震粗糙度），推動電動壓縮機系統小型化，并具備更強的持續降本能力。在保證夏冬季同樣的續航里程情況下，該方案可以幫助整車廠大幅節省單車總系統成本。

1月18日，據丹陽延陵鎮官微消息，浙江博藍特半導體科技股份有限公司與江蘇省丹陽市延陵鎮就第三代半導體碳化硅襯底項目落地延陵鎮進行了深度洽談，博藍特實地考察了延陵鎮鳳凰工業園區的2宗地塊，計劃在延陵鎮投資10億元建設年產25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項目建成后預計可實現年銷售收入15億元。

浙江博藍特半導體科技股份有限公司成立于2012年，致力于GaN基LED芯片（圖形化）襯底、第三代半導體材料碳化硅、MEMS智能傳感器的研發及產業化，與中南大學、合肥工業大學、中科院物理所等科研院校合作，共同致力于科技成果產業化。此前2023年4月，博藍特已與延陵鎮簽訂了戰略合作，此次實地考察將進一步推動該碳化硅襯底項目的落地。（來源：丹陽延陵鎮官微）

1月17日，成都森未科技與東方電氣自動控制工程有限公司舉行國產功率器件開發與應用合作簽約儀式，雙方將共同構建國產IGBT功率半導體行業發展新藍圖。

根據協議，雙方將充分發揮各自優勢，進一步深化在國產功率器件開發與應用領域的合作，推動項目建設、提升雙方實力，共后為推動高質量發展蓄勢賦能。森未科技將持續為東方自控提供核心芯片、器件、方案的設計和制造服務。

成都森未科技是一家由清華大學和中國科學院博士團隊創立的高科技企業，公司技術能力覆蓋從功率半導體芯片設計、加工、測試到應用的全過程。目前公司成功開發不同電壓等級和應用場景的芯片超過100款，IGBT產品覆蓋600V-1700V的電壓等級，單顆芯片電流可達200A，已成功應用于特種電源、變頻器光伏、儲能、充電樁、新能源車等領域。（來源：森未半導體官微）

1月17日，飛锃半導體官微表示，作為國內當前為數不多可大批量出貨SiC Mos產品的碳化硅器件供應商，截止到2023年飛锃半導體的1200V碳化硅器件產品累計出貨2400萬顆，產品和服務在新能源汽車、消費、工業市場全面開花。

飛锃半導體表示，在2023年期間，成功推出了第三代SiC MOSFET的系列產品，在車規級碳化硅產品系列包含1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ等產品，通過了AEC-Q101可靠性驗證等。

同時在SiC MOSFET方面，飛锃也正在進行客戶送樣和驗證工作，不斷提升產品的可靠性和性能，為實現國產SiC芯片的上車能力做出努力。

在芯片制作方面，我們與晶圓代工廠積塔半導體合作，積塔半導體是國內最早量產6英寸碳化硅器件的代工廠，通過他們的制造能力和資源，實現產品的生產和高質量交付。

飛锃半導體表示，主要目標是擴大SiC MOSFET的應用市場，并啟動SiC MOSFET在車載領域的項目。（來源：飛锃半導體官微）

1月16日，據韓國產業部聲明，韓國計劃要在首爾附近建設世界上最大的半導體產業集群，該計劃將由三星電子和SK海力士主導，預計到2047年將投資總計622萬億韓元（4730億美元），建立16座芯片工廠。

韓國貿易、工業和能源部稱，該產業集群將占地2100萬平方米，橫跨京畿道南部的多個城市，包括平澤、華城、龍仁、利川、安城、城南和水原。到2030年，該地區的晶圓月產能將達到770萬片。

目前，該產業集群擁有19家生產工廠和2家研究設施。根據該計劃，到2047年，該產業集群將新增13家生產工廠和3家研究設施。

具體來說，三星電子計劃為該項目投資500萬億韓元，其中包括投資360萬億韓元在首爾以南33公里的龍仁新建6家晶圓廠；投資120萬億韓元在首爾以南54公里的平澤新建3家晶圓廠；投資20萬億韓元在器興新建3家研究設施。

除了三星電子外，韓國第二大芯片制造商SK海力士將投入122萬億韓元，在龍仁新建4家晶圓廠。（來源：國芯網）

1月16日，EDA及半導體IP大廠新思科技和工業軟件大廠Ansys正式宣布，雙方已經就新思科技收購Ansys事宜達成了最終協議。

根據該協議條款，Ansys股東每股Ansys股票將獲得197.00美元現金和0.3450股新思科技普通股，按2023年12月21日新思科技普通股的收盤價計算，該收購總價值約為350億美元。新思科技全球領先的芯片電子設計自動化 (EDA) 與Ansys廣泛的仿真分析產品組合強強聯手，將打造一個從芯片到系統設計解決方案領域的全球領導者。

新思科技全球領先的EDA技術與Ansys成熟的仿真和分析能力相結合，將在核心EDA領域和極具潛力的新興增長領域（如汽車、航空航天和工業智造等）進一步加強新思科技“從芯片到系統”發展戰略，而Ansys在這些領域擁有成熟的業務布局和成功的市場經驗。

2023年8月30日，新思科技官網宣布，已經完成對汽車控制單元軟件測試和驗證解決方案領導者PikeTec GmbH的收購。新思科技表示，很多汽車制造商都采用了PikeTec的軟件測試和驗證解決方案，以應對軟件定義汽車在發展過程中，軟件功能和復雜性急劇增加的問題。（來源：新思科技官微）

近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。此外，瞻芯電子同步推出了650V 60mΩ規格的車規級263-7封裝產品IV2Q06060D7Z。

瞻芯電子的第二代SiC MOSFET產品是依托瞻芯電子自建的SiC晶圓廠來研發和生產的，其首款產品于2023年9月份發布量產，該系列產品的驅動電壓(Vgs)為15-18V，應用的兼容性更好。

更為關鍵的是，第二代SiC MOSFET通過優化柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，能顯著降低開關損耗，提升系統效率。（來源：瞻芯電子官微）

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原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：意法、致瞻、博藍特和森未等半導體領域大動作！