1月17日，國家高速列車技術創新中心與青島大商電子有限公司高性能半導體材料科研成果轉化簽約儀式于青島天安科創城成功舉行。
根據協議，雙方將共同推動高性能半導體材料關鍵技術研發與成果轉化，開發具有自主知識產權的高純度焊接復合材料及其釬焊技術體系，為第三代半導體高可靠封裝技術的國產化提供科學基礎和技術支撐，保障半導體等相關先進制造業的產業鏈安全和高質量發展具有重要意義。
國家高速列車技術創新中心是科技部和國資委聯合批復的第一個國家級技術創新中心，多年來始終立足于軌道交通產業研發與應用，積極組織推動“政產學研用”相結合的科技成果轉移轉化與產業培育，致力于為行業發展提供源頭技術供給、為地方經濟發展獻策助力。
青島大商電子有限公司成立于2023年6月，專注于第三代半導體封裝用活性金屬釬焊 (AMB)?陶瓷基板的研發生產，具備活性金屬釬焊 (AMB)?自主正向研發實力與大規模量產經驗。其產品終端主要應用于電動汽車、軌道交通、智能電網、光伏、風電、儲能、航空航天等產業領域。
第三代半導體可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是軌道交通、新能源汽車、5G、人工智能、工業互聯網等多個“新基建”產業的重要材料，可以降低50%以上的能量損失，最高可以使裝備體積減小75%以上。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：又一協議簽約，致力于第三代半導體核心封裝材料國產化替代
