2月18日，據(jù)證券時(shí)報(bào)網(wǎng)消息，日本權(quán)威行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)公布了《2024年版新一代功率器件&相關(guān)市場現(xiàn)狀和展望》報(bào)告，圍繞世界SiC/GaN的最新動(dòng)向以及材料供不應(yīng)求的情況展開了分析和預(yù)測。據(jù)報(bào)告測算，2023年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場占有率前三的公司之一來自中國，天岳先進(jìn)（SICC）超過高意（Coherent）躍居全球第二，僅次于連續(xù)多年保持市占率第一的Wolfspeed。盡管Wolfspeed位居榜首，但其市場份額正面臨來自其他襯底公司的強(qiáng)力挑戰(zhàn)，占比持續(xù)下滑。
報(bào)告進(jìn)一步指出，在電動(dòng)汽車、電力設(shè)備以及能源領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)下，SiC功率器件市場需求整體保持堅(jiān)挺。預(yù)計(jì)到2030年，SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)到近150億美元，約占整體功率器件市場24%，到2035年，市場規(guī)模有望超過200億美元，屆時(shí)SiC器件市場規(guī)模將占到整體功率器件的40%以上。為此，業(yè)內(nèi)主要廠家都在積極進(jìn)行擴(kuò)建以及做好設(shè)備投資的準(zhǔn)備，特別是中國企業(yè)，除滿足本國需求外，開始不斷擴(kuò)張世界范圍內(nèi)的市場占有率。其中，特別值得關(guān)注的是襯底材料的市場表現(xiàn)。
天岳先進(jìn)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
在此背景下，天岳先進(jìn)（688234.SH）作為國內(nèi)領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商，自2010年成立以來，已經(jīng)在半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售領(lǐng)域取得了顯著成就。據(jù)了解，天岳先進(jìn)碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)全面達(dá)產(chǎn)，屆時(shí)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達(dá)到30萬片。目前該公司已實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型襯底、4-6英寸半絕緣型襯底等產(chǎn)品的規(guī)模化供應(yīng)，并在2022年初公布了自主擴(kuò)徑制備的高品質(zhì)8英寸襯底，2023年8月成功通過制備出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低缺陷密度8英寸晶體，進(jìn)一步鞏固了其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。
根據(jù)報(bào)告分析，全球SiC襯底銷售主要分布在日本（17.4%）、中國（24.4%）、北美（20%）、歐洲（29%）四大市場，其中歐洲已成為全球最大的SiC襯底市場。值得一提的是，天岳先進(jìn)已與海內(nèi)外多家知名企業(yè)簽署了長期供應(yīng)協(xié)議，如2022年與博世簽署了導(dǎo)電型碳化硅襯底的長期供應(yīng)協(xié)議，2023年5月與英飛凌簽訂了新的襯底和晶棒供應(yīng)協(xié)議。此外，公司還在2022年7月和2023年8月分別與E、F兩大客戶簽訂了總額超過22億元的長期銷售框架協(xié)議，為其提供導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大了其銷售規(guī)模和市場影響力。
天岳先進(jìn)在導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能和規(guī)模化供應(yīng)能力上持續(xù)展現(xiàn)超預(yù)期成果。通過與英飛凌、博世集團(tuán)的長期供應(yīng)協(xié)議，在技術(shù)實(shí)力和規(guī)模化供應(yīng)能力上展現(xiàn)突出優(yōu)勢，推動(dòng)業(yè)績快速增長。2023年5月，天岳先進(jìn)上海臨港智慧工廠的啟用進(jìn)一步加速了產(chǎn)能提升，顯著擴(kuò)大了銷售規(guī)模。
長期以來，天岳先進(jìn)專注于SiC襯底的技術(shù)積累，使其在產(chǎn)能和客戶服務(wù)方面建立了獨(dú)特的競爭優(yōu)勢。繼半絕緣型碳化硅襯底市占率連續(xù)4年位居全球前三以來，其導(dǎo)電型襯底市場占有率顯著提升至世界第二，也得益于長期的技術(shù)積累。此外，公司在8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位進(jìn)一步證明了其作為寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域的前沿實(shí)力，展示了天岳先進(jìn)在技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)能規(guī)模化及市場擴(kuò)張方面的綜合競爭優(yōu)勢。
功率半導(dǎo)體行業(yè)在低碳化和電氣化時(shí)代將繼續(xù)獲得蓬勃的發(fā)展動(dòng)力，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件將繼續(xù)成為這一領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)。穩(wěn)定的供應(yīng)和質(zhì)量保障成為占領(lǐng)市場高地的重要抓手，我們期待中國企業(yè)在世界半導(dǎo)體行業(yè)取得更耀眼的成績。
資料來源：證券時(shí)報(bào)網(wǎng)、天岳先進(jìn)
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：全球視野下的突破：天岳先進(jìn)引領(lǐng)中國SiC襯底技術(shù)與市場領(lǐng)先之路
