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3月6日,晶盛機電發布投資者關系活動記錄表公告,稱已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝,量產晶片的核心位錯達到行業領先水平。

晶盛機電:8英寸碳化硅襯底片已實現批量銷售

問題:請問公司半導體設備相關業務進展情況如何?

答:目前公司已基本實現8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷售,6英寸碳化硅外延設備實現批量銷售且訂單量快速增長,成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備,實現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。同時公司基于產業鏈延伸,開發出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。

問題:公司碳化硅相關業務的布局

答:公司自2017年開始碳化硅產業布局,聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業務。公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝,量產晶片的核心位錯達到行業領先水平,2023年11月公司正式啟動了“年產25 萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片”項目,目前已實現批量生產與銷售。此外,公司于2023年推出了6英寸雙片式碳化硅外延設備、8英寸碳化硅外延設備,外延的厚度均勻性、摻雜均勻性達到行業領先水平。

問題:請問公司碳化硅外延設備的最新進展與設備優勢?

答:公司相繼推出了6英寸雙片式碳化硅外延設備、8英寸碳化硅外延設備。其中6英寸雙片式碳化硅外延設備在外延產能、運營成本等方面已取得國際領先優勢,與單片設備相比,雙片設備單臺產能增加70%,單片運營成本降幅可達30%以上,助力客戶創造極大價值。8英寸碳化硅外延設備可兼容6、8寸碳化硅外延生產,解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題,外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內,達到行業領先水平。

問題:公司碳化硅襯底片領域的優勢與競爭力?

答:碳化硅材料因其技術含量高而呈現制作難度大、良率低等特點,高品質碳化硅襯底片具有顯著的優勢與競爭力。公司6英寸和8英寸量產晶片的核心位錯可以穩定實現TSD<100個/cm2,BPD<400個/cm2,達到行業領先水平。此外,碳化硅晶體生長和加工技術自主可控是碳化硅產業的核心競爭力。公司通過自主開發的設備、熱場和工藝技術,不斷延伸產品系列,相繼成功開發6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片,并成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。目前公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝,與國內外領先企業在8英寸布局上基本實現同步。

問題:公司碳化硅襯底量產項目的最新進展情況如何?

答:2023年11月4日,公司舉行了“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式,旨在加快半導體材料端的關鍵核心技術攻關,實現國產化替代,這一舉措標志著公司在半導體材料領域的技術實力和市場競爭力將進一步提升。公司積極推進項目進度與產能提升,目前8 英寸碳化硅襯底片已實現批量銷售,量產晶片的核心位錯達到行業領先水平。

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原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):晶盛機電:8英寸碳化硅襯底片已實現批量銷售

作者 li, meiyong

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