近日，國內(nèi)碳化硅行業(yè)又有3家企業(yè)獲得融資，募集資金有的用于擴(kuò)建SiC模塊產(chǎn)線，有的聚焦于開發(fā)針對(duì)SiC材料的深刻蝕設(shè)備和工藝等。
1.安建半導(dǎo)體獲超2億元C輪融資
2.中锃半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元融資
3.萃錦科技完成數(shù)千萬元天使輪融資
4月8日，據(jù)“JSAB安建科技”官微消息，公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級(jí)IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺(tái)；擴(kuò)建汽車級(jí)IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線；擴(kuò)充銷售及其他人才團(tuán)隊(duì)；增加營運(yùn)現(xiàn)金流儲(chǔ)備等。
SiC-Diode（來源：安建官網(wǎng)）
4月3日，中锃半導(dǎo)體（深圳）有限公司中锃半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元人民幣天使輪融資。本輪融資由國科京東方、國核曜能、望眾投資等共同出資，將主要用于研發(fā)平臺(tái)搭建、原型設(shè)備和核心工藝開發(fā)、持續(xù)吸納優(yōu)秀技術(shù)人才。
中锃半導(dǎo)體成立于2023年10月，聚焦于特色工藝領(lǐng)域的 “等離子體干法刻蝕設(shè)備（Plasma Dry Etch）”和“關(guān)鍵工藝解決方案”。
中锃半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼CEO譚志明表示，公司目前正全力開發(fā)針對(duì)碳化硅材料的深刻蝕設(shè)備和工藝（Deep SiC Etch），用以支持溝槽柵（Trench-Gate）的實(shí)現(xiàn)和更廣闊器件設(shè)計(jì)窗口。
在國內(nèi)市場，目前產(chǎn)業(yè)界正處于碳化硅深刻蝕實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和量產(chǎn)的關(guān)鍵階段，更需要本土的設(shè)備廠商提供更多特色工藝的支持，共同實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體技術(shù)上的“彎道超車”。
近日，寧波市人民政府宣布寧波萃錦科技發(fā)展有限公司（以下簡稱"萃錦科技"）完成數(shù)千萬元天使輪融資。本輪融資由上海金浦投資領(lǐng)投，所獲資金主要用于產(chǎn)線搭建、設(shè)備購買及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
萃錦科技專業(yè)從事功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用服務(wù)。公司聯(lián)合韓國、日本和本土技術(shù)團(tuán)隊(duì)及芯片代工資源，產(chǎn)品主要包括600V 至2200V范圍的碳化硅SiC MOSFET、硅基超結(jié)SiSJmos等分立器件，主要應(yīng)用于新能源快速充電樁、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源乘用車等場景和領(lǐng)域。
萃錦科技擁有成熟量產(chǎn)的SiC、IGBT和MOSFET超薄晶圓背面特色工藝，性能和參數(shù)對(duì)標(biāo)國際產(chǎn)品在芯片制造價(jià)值鏈上，可以提供"一站式FSM+BGBM"中后道完整解決方案，SiCMOSFET晶圓減薄可達(dá)到100微米，達(dá)到國際領(lǐng)先技術(shù)水平。
2023年1月，萃錦年產(chǎn)120萬只中高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品項(xiàng)目開工，項(xiàng)目總投資6.5億元，擬建設(shè)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠房，產(chǎn)品包括SiC模塊等。
來源：安建科技、36氪、寧波市人民政府
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：又有3家碳化硅企業(yè)完成融資