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國內6英寸碳化硅襯底和外延在近兩年獲得了大量投資和量產,而隨著電子設備對更高性能和更低能耗的需求日益增長,8英寸SiC晶圓將為晶圓廠的生產效率、成本效益和技術應用等方面帶來顯著優勢,需求也在日益凸顯。

  • 從生產效率來看,8英寸晶圓可以切割出更多的芯片,提高生產量和效率,同時 8 英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度,降低缺陷密度,從而提升良率;

  • ?在技術應用方面,8英寸SiC晶圓為電力電子器件的設計和制造提供了更多可能性,更大的晶圓尺寸允許制造商在單片晶圓上集成更多的功能區域;

  • ?從成本效益分析,根據 Wolfspeed 數據,從 6 英寸升級到 8 英寸,襯底的加工成本有所增加,但合格芯片產量可以增加 80%-90%,采用 8 英寸襯底可以將單位綜合成本降低 50%。

國外8英寸碳化硅襯底已在量產前夕,而國內也在加快8英寸碳化硅晶圓的量產進程,在Semicon China期間,碳化硅襯底和外延參展企業幾乎都展示了8英寸樣品。

碳化硅襯底

山東天岳先進科技股份有限公司

 

山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年11月,是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發、生產和銷售的科技型企業。2023年天岳先進襯底銷量超過20萬片,與英飛凌、博世等下游電力電子、汽車電子領域的國際知名企業簽署了新的長期合作協議。

Semicon 2024精彩回顧:碳化硅8英寸晶圓量產持續升溫

天岳先進上海工廠自2023年投產以來, 6英寸襯底的產量擴產順利,交付穩定。天岳先進實現了8英寸碳化硅襯底產品的批量銷售。在展會期間,天岳先進推出了采用液相法制備的P型碳化硅襯底,為碳化硅向以智能電網為代表的更高電壓領域提供了可能性。

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廣東天域半導體股份有限公司

天域半導體展示了6-8英寸碳化硅襯底、外延片、晶圓以及MOS管、模塊等產品。

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廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年,是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業化的企業,也是國內第一家獲得汽車質量認證(IATF 16949)的碳化硅半導體材料企業。憑借先進的外延工藝向下游客戶提供N型、P型摻雜半導體材料,制作650V~3,300V、3,300V~20,000V單極和雙極功率器件,主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS 等。

北京天科合達半導體有限公司

天科合達展出6-88英寸碳化硅外延片及碳化硅襯底等產品

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北京天科合達半導體股份有限公司于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立,SiC晶片已通過IATF16949:2016車規級質量管理體系認證。產業涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

河北同光半導體股份有限公司

?同光股份展示了6-8英寸導電性碳化硅襯底、6英寸半絕緣型碳化硅襯底、碳化硅晶錠等產品。

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河北同光半導體成立于2012年,自2017年始就已經有碳化硅單晶型襯底片面世,憑借著多年來不斷增強的研發實力,攻克了高純碳化硅原料合成、晶型和結晶質量控制、籽晶特殊處理等多個關鍵技術難題,掌握了高品質、低缺陷碳化硅單晶襯底制備技術,并實現技術成果轉化,使產品不斷向大尺寸,高質量,低缺陷方面快速迭代,目前產品各項指標處于行業領先。

中電科半導體材料有限公司

中電科半導體材料有限公司攜山西爍科晶體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、南京國盛電子有限公司參展,產品包括:4~6英寸高純半絕緣碳化硅襯底、4~8英寸N型碳化硅晶體及襯底及4~8英寸碳化硅外延等。

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電科材料深耕半導體材料,致力于建設成為世界一流電子功能材料企業,近年來在第三代半導體材料領域不斷取得新突破,山西碳化硅材料產業基地和石家莊、南京外延材料產業基地相繼建成并投產,碳化硅單晶襯底、硅外延和碳化硅外延制造水平達到國內領先。

浙江晶盛機電股份有限公司

晶盛機電圍繞“先進材料、先進裝備”的雙引擎可持續發展戰略,持續深化“裝備+材料”的協同產業布局。在第三代半導體領域,公司聚焦6-8英寸碳化硅襯底的產業化,致力于從長晶-切磨拋-外延全鏈條設備的國產替代。

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寧波合盛新材料有限公司

寧波合盛新材料展示了6-8英寸導電性碳化硅襯底及外延片。

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寧波合盛新材料有限公司成立于2018年,是一家專業從事新型材料研究,生產的高新技術企業,由上市公司合盛硅業份有限公司發起成立并控股。公司業務涵蓋第三代半導體S1C村底及外延的研發,生產與銷售。目前,合盛新材料正在建設導電型6英寸和8英寸碳化硅村底與外延片產線,已實現投資規模超過10億元,未來隨著產線規模的繼續擴大,合新材料將成長為具有國際競爭力的碳化硅半導體材料研發和生產企業。

山西天成半導體材料有限公司

天成半導體展示了碳化硅粉料、晶錠、6-8英寸碳化硅襯底等產品。

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山西天成半導體材料有限公司是由多位SiC領域博士及具有頭部生產企業任職經歷的業內一線人員發起,是一家專注于第三代半導體碳化硅襯底材料研發、生產及相關生長裝備制造的高新技術企業。2023年,榮獲“第三代半導體年度新銳企業”,公司具備成熟科研團隊、迭代技術儲備。

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碳化硅外延

希科半導體科技(蘇州)有限公司

希科半導體展示了碳化硅外延片。

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希科半導體科技(蘇州)有限公司專注于第三代半導體核心關鍵材料—碳化硅外延晶片(SiC Epitaxy Wafer)的研發與產業化,為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導電型碳化硅外延晶片。產品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅電力電子器件。

杭州海乾半導體有限公司

海乾半導體展示的是6-8英寸4H-SiC單極型器件用碳化硅外延片及4H-SiC雙極型器件用碳化硅外延片。

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海乾半導體是一家專注于第三代半導體材料SiC外延片的研發、生產及銷售的高科技企業。團隊核心成員均具有12年以上的專業從業經驗,基于多年的技術沉淀和豐富的管理經驗,海乾半導體掌握著全球領先的SiC外延片量產技術。

南京百識電子科技有限公司

南京百識電子展示了6-8英寸碳化硅外延片。

Semicon 2024精彩回顧:碳化硅8英寸晶圓量產持續升溫

南京百識電子科技有限公司于2019年底落地南京浦口區,是國內專門生產第三代半導體碳化硅及氮化鎵相關外延片的領導廠商,產品包含以碳化硅SiC為襯底?(SiC on SiC、GaN on SiC),以及硅為襯底(GaN on Silicon)的外延片,針對大尺寸、高壓、高功率以及射頻微波等應用市場提供高品質、高一致性、高可靠度的碳化硅及氮化鎵外延片產品及專業代工服務。

中環領先半導體科技股份有限公司

中環領先攜4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等全產品系列展出,包括6-8英寸的碳化硅外延片。

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中環領先半導體科技股份有限公司,專注于半導體材料及其延伸產業領域的研發和制造,堅持為全球客戶提供Total Solution全產品解決方案,產品涵蓋4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等。

Semicon 2024精彩回顧:碳化硅8英寸晶圓量產持續升溫

原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):Semicon 2024精彩回顧:碳化硅8英寸晶圓量產持續升溫

作者 li, meiyong

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