5月27日,據“芯聯集成”官微消息公布,芯聯集成8英寸碳化硅工程批已于4月20日順利下線。
根據芯聯集成官微2024年5月23日消息,芯聯集成的國內首條8英寸SiC晶圓研發線將于2024年二季度通線,應該就是這一條。
芯聯集成是國內領先的具備車規級IGBT/SiC芯片及模組的代工企業,2023年芯聯集成6英寸碳化硅晶圓廠出貨規模已超過月產5000片,且出貨量位列中國SiC MOS規模量產出貨第一名。
芯聯集成2024Q1業績報告顯示,營業收入13.53億元,同比增長17.19%。其中SiC收入占比提升,SiC MOS實現最大規模出貨,預計2024年收入超過10億元。
近年來隨著新能源汽車的熱潮,其搭載的碳化硅也水漲船高。芯聯集成自去年開始量產平面SiC MOS以來,實現了90%的產品應用于新能源汽車主驅逆變器。對于SiC晶圓廠如何降低成本,芯聯集成總經理提出過將晶圓尺寸由6英寸升級為8英寸。
2024年5月21日,士蘭微將在廈門投建8英寸碳化硅晶圓廠。該項目分兩期建設,項目一期投資規模70億元,二期投資規模約50億元,兩期建設完成后,將在廈門市海滄區形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產72萬片的生產能力。
2023年6月7日三安光電與ST合資公司在重慶投建8英寸碳化硅晶圓廠。該項目作為中國首條、世界第三條碳化硅全產業鏈整合研發與制造平臺總投資160億元。目前,一期已經全線投產,碳化硅年產能已達到25萬片(6吋)。二期將全部導入國際領先的8吋生產設備和工藝,計劃今年三季度投產。據湖南六建華西公司官微今年5月23日消息,目前二期項目已經全面封頂。
在碳化硅單晶片生長方面,生長過程復雜且成本較高,進而導致產能有限。國產8英寸SiC單晶生長項目的突破,也相對降低了一些碳化硅的成本。
2024年3月27日,科友半導體與俄羅斯N公司簽約,開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項目合作。在此之前,2022年12月科友通過自主設計制造的電阻長晶爐產出直徑超過8吋的碳化硅單晶,宣布首次躋身8英寸碳化硅行列,并于次年9月,首批自產8英寸SiC襯底下線。
2024年3月26日,濟南市生態環境局公示了中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產業化項目環評文件的基本情況。根據公告,該項目項目總投資15億元。主要進行碳化硅單晶生長和襯底加工生產,預計2025年實現滿產達產。南砂晶圓向外表示,計劃將中晶芯源打造成為全國最大的8英寸碳化硅襯底生產基地。
原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):芯聯集成8英寸SiC工程下線