6月30日，據“西永微電園”官微消息，重慶三安半導體襯底廠舉行主設備進場儀式，標志著重慶三安襯底工廠通線即將進入倒計時階段。 據重慶三安基建負責人透露，項目主廠房已于去年12月完成結構封頂，今年5月完成外墻裝飾，6月完成室外道路接駁，目前整體建設進度已完成95%以上，正處于設備進場安裝調試的關鍵階段。 三安意法碳化硅項目總規劃投資約300億元人民幣，項目達產后將建成全國首條8吋碳化硅襯底和晶圓制造線，具備年產48萬片8吋碳化硅襯底、車規級MOSFET功率芯片的制造能力，預計營收將達170億人民幣，將有力推動重慶打造第三代化合物半導體之都。 來源：西永微電園官微 原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：重慶三安300億8英寸SiC襯底項目迎來新進展 文章導航 瑞霏光電碳化硅晶圓內應力檢測儀介紹 江蘇芯夢成功交付12 Cassette-less type槽式清洗設備
