
HPD碳化硅功率模塊A樣件創新采用直流功率端子母排疊層結構、高可靠Clip銅夾連接、高散熱水滴形PinFin散熱水道、環氧樹脂灌封技術以及高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝,實現模塊寄生電感≤7.5nH,模塊持續工作結溫175℃,輸出電流有效值達到620A。

文章來源:紅旗研發新視界
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原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):技術領航 | 紅旗全國產框架式碳化硅功率模塊A樣件試制成功
2025年8月深圳國際會展中心
HPD碳化硅功率模塊A樣件創新采用直流功率端子母排疊層結構、高可靠Clip銅夾連接、高散熱水滴形PinFin散熱水道、環氧樹脂灌封技術以及高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝,實現模塊寄生電感≤7.5nH,模塊持續工作結溫175℃,輸出電流有效值達到620A。
文章來源:紅旗研發新視界
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原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):技術領航 | 紅旗全國產框架式碳化硅功率模塊A樣件試制成功