乘著半導體行業快速發展的東風，芯片產業鏈的中游，即半導體制造過程中最重要也最復雜的環節，理所當然地成為了大家關注的焦點。該環節主要的工藝流程包括光刻、刻蝕、薄膜沉積等。投入巨大，進入門檻極高，很多關鍵設備由少數國際巨頭把控，國產替代勢在必行。
作為國內高端薄膜沉積設備的開創者與引領者，韞茂科技不斷突破技術壁壘，專注于鋰電池、光伏、Mini/Micro LED、先進光學、碳化硅、集成電路、超導材料和器件等前沿泛半導體及新能源薄膜沉積設備的研發與生產。目前已形成了以ALD原子層成膜系統、PVD物理氣相沉積系統、CVD化學氣相系統、Epitaxy外延爐等一系列薄膜沉積設備為核心的產品矩陣。公司目前已擁有各類專利技術近50項，入選國家級高新技術企業及廈門專精特新技術企業。
PBATCH批次等離子體ALD
?全自動、多片、大批量生產；
?批次等離子體ALD可為客戶帶來更多功能性薄膜選擇；
?可提高ALD產能，降低客戶使用成本，實現極致COO；
?可在光學薄膜沉積上實現設備國產化替代；
?工業標準安全互鎖、報警、EMO。
KG生產型粉末ALD
?采用韞茂科技獨有的ALD粉體技術；
?立式提料分散，配合底部進氣方案，保證粉體與前驅體充分接觸，有效提高包覆均勻性和高覆蓋率；
?包覆大比表面積材料的厚度僅為傳統方式的1/100，甚至1/1000；
?包覆材料品質優異，材料成分可實現原子層級別單相或多相設計；
?KG系列設備的樣品裝載量最大每批次可達百公斤，大幅降低生產制造成本；
?批次包覆均勻性＜±3%，精度可達原子級別；
?可提升量子點、鋰電池、催化劑等的循環壽命、安全性以及耐溫耐壓性。
SICE Y6碳化硅外延CVD系統
?工藝穩定，可有效延長維護周期，降低使用成本；
?采用自有的進氣噴嘴設計，提供高自由度的外延窗口；
?可有效改善既有外延摻雜均勻性不佳的問題；
?可大幅提升設備稼動率，從而提升元件良率，與客戶達到雙贏目標。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：國產化替代！韞茂科技全棧式薄膜沉積方案，加速國內芯片發展進程