高功率半導(dǎo)體單管芯片作為激光器核心元器件，其功率大小是決定激光系統(tǒng)體積和成本的關(guān)鍵因素。經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)迭代，2023年激光器商用芯片的功率已達(dá)到50W。目前，更高功率的芯片仍然是行業(yè)內(nèi)追逐的焦點(diǎn)，代表著芯片綜合技術(shù)能力的發(fā)展水平。
1月27日，長(zhǎng)光華芯宣布其超高功率單管芯片在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研制技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，研制出的單管芯片室溫連續(xù)功率超過(guò)100 W（芯片條寬 500 μm），工作效率62%。據(jù)了解，這是迄今為止已知報(bào)道的單管芯片功率最高水平記錄，開啟了百瓦級(jí)單管芯片新紀(jì)元。圖 500μm 發(fā)光寬度芯片的功率效率曲線?來(lái)源：長(zhǎng)光華芯蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司成立于2012年，專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體激光芯片，核心技術(shù)覆蓋半導(dǎo)體激光行業(yè)最核心的領(lǐng)域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長(zhǎng)、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題。公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品，在功率、亮度、光電轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次突破，獲多項(xiàng)專利，與全球先進(jìn)水平同步。圖 長(zhǎng)光華芯IDM全流程工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線 來(lái)源：長(zhǎng)光華芯目前，長(zhǎng)光華芯已建成完全自主可控的從芯片設(shè)計(jì)、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測(cè)試、光學(xué)耦合、直接半導(dǎo)體激光器等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線，是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一，有力推動(dòng)了我國(guó)超高功率激光技術(shù)及其應(yīng)用的快速發(fā)展。
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