高功率半導體單管芯片作為激光器核心元器件，其功率大小是決定激光系統(tǒng)體積和成本的關鍵因素。經(jīng)過多年的技術迭代，2023年激光器商用芯片的功率已達到50W。目前，更高功率的芯片仍然是行業(yè)內(nèi)追逐的焦點，代表著芯片綜合技術能力的發(fā)展水平。
1月27日，長光華芯宣布其超高功率單管芯片在結(jié)構(gòu)設計與研制技術上取得突破性進展，研制出的單管芯片室溫連續(xù)功率超過100 W（芯片條寬 500 μm），工作效率62%。據(jù)了解，這是迄今為止已知報道的單管芯片功率最高水平記錄，開啟了百瓦級單管芯片新紀元。圖 500μm 發(fā)光寬度芯片的功率效率曲線?來源：長光華芯蘇州長光華芯光電技術股份有限公司成立于2012年，專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導體激光芯片，核心技術覆蓋半導體激光行業(yè)最核心的領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題。公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品，在功率、亮度、光電轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次突破，獲多項專利，與全球先進水平同步。圖 長光華芯IDM全流程工藝平臺和量產(chǎn)線 來源：長光華芯目前，長光華芯已建成完全自主可控的從芯片設計、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線，是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導體激光器企業(yè)之一，有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發(fā)展。
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導體網(wǎng)）：突破！長光華芯高功率半導體單管芯片功率超過100W
