2022 年 2 月 9 日，Lam Research Corp宣布推出一套新的選擇性蝕刻產品，該產品應用突破性的半導體制造技術和新型化學物質，以支持芯片制造商開發環柵 (GAA) 晶體管結構。Lam 的選擇性蝕刻產品組合由三款新產品——Argos?、Prevos? 和 Selis? 組成，在先進邏輯和存儲半導體解決方案的設計和制造方面提供了強大的優勢。
隨著現代技術和設備的不斷發展，對更高設備密度以提高性能和效率的需求也在增加。為了跟上摩爾定律的步伐，芯片制造商現在正在垂直開發晶體管結構——這是一個異常復雜的工藝，需要超高選擇性、精密蝕刻和均勻的各向同性材料去除，而不會改變或損壞其他關鍵材料層。
Lam 的選擇性蝕刻解決方案提供支持先進邏輯納米片或納米線形成所需的超高、可調選擇性和無損傷材料去除，使芯片制造商能夠在 DRAM 達到其平面結構時實現從平面結構到三維結構的下一次進化飛躍縮放限制。
Lam 的選擇性蝕刻產品與世界上最具創新性的邏輯和代工芯片制造商合作開發，已經在三星電子等行業領導者的晶圓廠中使用，以支持先進邏輯晶圓開發過程中的近十幾個關鍵步驟。
三星半導體研發中心專家 Keun Hee Bai 博士表示：”半導體行業不斷向更強大和更快的設備能力發展。隨著器件的密度和復雜性顯著增加，選擇性蝕刻技術對于制造我們最先進的邏輯器件至關重要。隨著全球對三星技術的需求持續飆升，我們依靠選擇性蝕刻的廣泛創新和能力來支持生產并加快我們的邏輯器件路線圖，向高級邏輯 GAA 及更高版本邁進。”
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Argos 采用革命性的 MARS?（亞穩態活化自由基源）技術，?選擇性地修飾和凈化晶圓表面。其開創性的處理和調節能力使芯片制造商能夠精確地處理晶圓表面，優化它們以獲得最佳性能。
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Prevos 通過將新穎的化學物質和創新的蒸汽技術與靈活的溫度控制相結合，實現原子層精度、對氧化物、硅和金屬的超高選擇性蝕刻。Prevos 利用了 Lam 開發的一種新的專有化學技術解決方案；可以添加額外的化學物質來支持芯片制造商的生產需求。
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Selis獨特地采用了自由基蝕刻和熱蝕刻能力，以實現超高選擇性蝕刻和統一的從上到下的工藝控制，而不會損壞晶圓結構。
Lam Research 總裁兼首席執行官 Tim Archer 表示：”Lam Research 正在推動晶圓制造的進步，以支持芯片行業轉向 3D 架構并使下一代數字技術成為現實。40 多年來，Lam 在蝕刻創新方面一直引領行業，我們很自豪能夠延續這一傳統，為當今市場上的先進邏輯和存儲器提供最先進的選擇性蝕刻解決方案。”
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：Lam Research 推出開創性的選擇性蝕刻產品以支持芯片 3D 架構開發
