近日，據太原日報報道，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱“中電科二所”）在SiC激光剝離設備研究方面取得了突破性進展（https://www.ab-sm.com/）。

“目前，科研團隊已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，并利用自主搭建的實驗測試平臺，結合特殊光學設計、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術，實現了小尺寸SiC(碳化硅)單晶片的激光剝離。”中國電子科技集團第二研究所(以下簡稱“中電科二所”)近日傳來好消息，在SiC激光剝離設備研制方面，取得了突破性進展。

圖源自II-VI

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碳化硅SiC材料硬度與金剛石相近，現有的加工工藝切割速度慢、晶體與切割線損耗大，成本較高，導致材料價格高昂，限制了SiC半導體器件的廣泛應用。

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激光垂直改質剝離設備被譽為“第三代半導體中的光刻機”，其創新性地利用光學非線性效應，使激光穿透晶體，在晶體內部發生一系列物理化學反應，最終實現晶片的剝離。這種激光剝離幾乎能避免常規的多線切割技術導致的材料損耗，從而在等量原料的情況下提升SiC襯底產量。此外，激光剝離技術還可應用于器件晶圓的減薄過程，實現被剝離晶片的二次利用。

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目前，中電科二所團隊已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，并利用自主搭建的實驗測試平臺，結合特殊光學設計、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術，實現了小尺寸SiC單晶片的激光剝離。現已通過專家論證，正式立項啟動，下一步將聚焦激光剝離技術的實用化與工程化。

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2019年，中電科二所投資50億元加碼SiC領域，擬建設用地約1000畝的中國電科（山西）電子信息科技創新產業園，計劃用5年時間，建成“一中心三基地”，即：中國電科(山西)碳化硅材料產業基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產業基地、中國電科（山西）三代半導體技術創新中心、中國電科（山西）光伏新能源產業基地。