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近幾年,在芯片短缺和地緣政治的影響下,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局開始發(fā)生變革,不少國(guó)際廠商減少了在中國(guó)市場(chǎng)的商業(yè)布局。與此同時(shí),芯片國(guó)產(chǎn)替代的呼聲也愈發(fā)高漲,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造亟需解決一系列“卡脖子”問題。在國(guó)家的政策扶持下,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商呈爆發(fā)式增長(zhǎng),迎來新一輪的機(jī)遇。

 

乘著半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的東風(fēng),芯片產(chǎn)業(yè)鏈的中游,即半導(dǎo)體制造過程中最重要也最復(fù)雜的環(huán)節(jié),理所當(dāng)然地成為了大家關(guān)注的焦點(diǎn)。該環(huán)節(jié)主要的工藝流程包括光刻、刻蝕、薄膜沉積等。投入巨大,進(jìn)入門檻極高,很多關(guān)鍵設(shè)備由少數(shù)國(guó)際巨頭把控,國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。

 

韞茂新品,直擊痛點(diǎn)

廈門韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設(shè)備開發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),是一家以納米級(jí)薄膜沉積工藝技術(shù)為核心的多領(lǐng)域全棧式薄膜沉積方案供應(yīng)商。

國(guó)產(chǎn)化替代!韞茂科技全棧式薄膜沉積方案,加速國(guó)內(nèi)芯片發(fā)展進(jìn)程
12月15日,韞茂科技即將舉行新工廠竣工儀式,并在儀式上推出新品,為客戶提供全方位的技術(shù)解決方案以及最先進(jìn)的納米材料薄膜沉積裝備。該類產(chǎn)品由韞茂科技自主開發(fā),針對(duì)先進(jìn)制造國(guó)產(chǎn)化痛點(diǎn),填補(bǔ)部分國(guó)家高端裝備的空缺,助力國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

 

作為國(guó)內(nèi)高端薄膜沉積設(shè)備的開創(chuàng)者與引領(lǐng)者,韞茂科技不斷突破技術(shù)壁壘,專注于鋰電池、光伏、Mini/Micro LED、先進(jìn)光學(xué)、碳化硅、集成電路、超導(dǎo)材料和器件等前沿泛半導(dǎo)體及新能源薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)。目前已形成了以ALD原子層成膜系統(tǒng)、PVD物理氣相沉積系統(tǒng)、CVD化學(xué)氣相系統(tǒng)、Epitaxy外延爐等一系列薄膜沉積設(shè)備為核心的產(chǎn)品矩陣。公司目前已擁有各類專利技術(shù)近50項(xiàng),入選國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)及廈門專精特新技術(shù)企業(yè)。

國(guó)產(chǎn)化替代!韞茂科技全棧式薄膜沉積方案,加速國(guó)內(nèi)芯片發(fā)展進(jìn)程
 

 

 

韞茂科技本次即將發(fā)布的幾款新品在性能和應(yīng)用領(lǐng)域都有哪些亮點(diǎn)突破?讓我們進(jìn)一步來解鎖!

PBATCH批次等離子體ALD

PBATCH實(shí)現(xiàn)低溫高質(zhì)量PEALD工藝,可應(yīng)用在高分子材料襯底等溫度敏感的襯底,制備氧化物、氮化物、金屬層等應(yīng)用,最大可支持多片12寸樣品。而ALD沉積速率低,限制了生產(chǎn)效率,批次性ALD可大幅提高ALD產(chǎn)能,降低客戶使用成本。

國(guó)產(chǎn)化替代!韞茂科技全棧式薄膜沉積方案,加速國(guó)內(nèi)芯片發(fā)展進(jìn)程

PBATCH批次等離子體ALD

產(chǎn)品亮點(diǎn)

?全自動(dòng)、多片、大批量生產(chǎn);

?批次等離子體ALD可為客戶帶來更多功能性薄膜選擇;

?可提高ALD產(chǎn)能,降低客戶使用成本,實(shí)現(xiàn)極致COO;

?可在光學(xué)薄膜沉積上實(shí)現(xiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代

?工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖、報(bào)警、EMO。

KG生產(chǎn)型粉末ALD

KG系列粉末ALD包覆設(shè)備可用于電池、催化劑、量子點(diǎn)、磁性材料等材料的高精度包覆量產(chǎn)。該系統(tǒng)能夠包覆原子層級(jí)到納米層級(jí)的范圍內(nèi)的厚度,具有超高靈敏度、均一性和重復(fù)性;且系統(tǒng)具有高重復(fù)性、穩(wěn)定性和高自動(dòng)化程度,操作方便、擴(kuò)展靈活。

國(guó)產(chǎn)化替代!韞茂科技全棧式薄膜沉積方案,加速國(guó)內(nèi)芯片發(fā)展進(jìn)程

KG生產(chǎn)型粉末ALD

產(chǎn)品亮點(diǎn)

?采用韞茂科技獨(dú)有的ALD粉體技術(shù)

?立式提料分散,配合底部進(jìn)氣方案,保證粉體與前驅(qū)體充分接觸,有效提高包覆均勻性和高覆蓋率;

?包覆大比表面積材料的厚度僅為傳統(tǒng)方式的1/100,甚至1/1000;

?包覆材料品質(zhì)優(yōu)異,材料成分可實(shí)現(xiàn)原子層級(jí)別單相或多相設(shè)計(jì);

?KG系列設(shè)備的樣品裝載量最大每批次可達(dá)百公斤,大幅降低生產(chǎn)制造成本;

?批次包覆均勻性<±3%,精度可達(dá)原子級(jí)別

?可提升量子點(diǎn)、鋰電池、催化劑等的循環(huán)壽命、安全性以及耐溫耐壓性。

SICE Y6碳化硅外延CVD系統(tǒng)

SICE-Y6用于6英寸的SiC外延工藝,可實(shí)現(xiàn)P&N型摻雜。反應(yīng)腔采用水平熱壁式設(shè)計(jì),內(nèi)部設(shè)有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),能夠形成穩(wěn)定的氣流場(chǎng);整個(gè)反應(yīng)腔采用感應(yīng)線圈加熱,能夠形成均勻的溫度場(chǎng),從而保證優(yōu)異的工藝指標(biāo)。

國(guó)產(chǎn)化替代!韞茂科技全棧式薄膜沉積方案,加速國(guó)內(nèi)芯片發(fā)展進(jìn)程

SICE Y6碳化硅外延CVD系統(tǒng)

產(chǎn)品亮點(diǎn)

?工藝穩(wěn)定,可有效延長(zhǎng)維護(hù)周期,降低使用成本;

?采用自有的進(jìn)氣噴嘴設(shè)計(jì),提供高自由度的外延窗口;

?可有效改善既有外延摻雜均勻性不佳的問題

?可大幅提升設(shè)備稼動(dòng)率,從而提升元件良率,與客戶達(dá)到雙贏目標(biāo)。

 

來源:雅時(shí)化合物半導(dǎo)體

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)(艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)):國(guó)產(chǎn)化替代!韞茂科技全棧式薄膜沉積方案,加速國(guó)內(nèi)芯片發(fā)展進(jìn)程

作者 li, meiyong

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