2月26日，據“普興電子”官網顯示，旗下6英寸低密度缺陷SiC外延片產業化項目環評第一次公示更新。
據了解，該項目總投資35070.16萬元，建筑面積約4000m2，購置SiC外延設備及配套設備116臺(套)形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產線。項目建成后，將實現年產24萬片SiC外延片的生產能力。
普興電子從16年開始SiC的研發，19年實現了6寸SiC外延片的量產，21年中標國家工信部碳化硅外延產業化的項目。目前主要為1200V MOS產品，已通過車規級驗證，應用在新能源車主驅模塊上。
根據“石家莊發布”1月9日新聞報道，普興電子正在加大SiC產能，布局第四代半導體材料研發。
總經理薛宏偉表示，目前普興電子在全國硅外延功率器件方面做到全國最大，在SiC外延領域做到了全國前三，是國內發展的頭部企業。下一步將加快發展，在8英寸SiC外延方面進行擴產，達到年產60萬片6到8英寸SiC的產能。另外積極布局第四代半導體材料研發，做到研發一代、儲備一代、生產一代。
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原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：投資3.5億！普興電子年產24萬片6英寸SiC外延片項目更新