隨著技術的進步和市場的需求,碳化硅(SiC)器件在2020年至2025年期間預計將迎來一次價格革新,預測價格將下降一半。這一顯著的成本降低,主要得益于幾個關鍵因素:襯底和外延片的國產化、SiC器件量產工藝的成熟,以及8英寸產線帶來的規模效應。這些進步不僅標志著成本控制的優化,也預示著SiC器件在市場上的競爭力將大幅提升。
具體來說,SiC器件的成本效益是其商業化應用的關鍵。有分析指出,只有當SiC器件的成本降至對應IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)器件成本的2.5倍以下時,SiC器件才能在市場上大量普及。基于這一預測,2024年將成為SiC器件在車載主驅逆變器中大規模使用的元年,這一應用的擴展將進一步加速SiC技術的發展和成本的降低。
正如近日熱聞,智己L6在發布會上出現了關于小米SU7?SiC參數的錯誤標注,以及后續兩家公司快速做出的澄清和道歉,均凸顯出了新能源車企對SiC器件應用的高度重視。
進入2024年3月,我們已經見證了功率半導體產業融資活動的顯著增加,共有11家相關企業宣布成功獲得融資。這些企業覆蓋了功率半導體產業鏈的多個環節,包括襯底外延、器件制造和封裝材料等,顯示出資本市場對IGBT和SiC器件未來發展的積極看好。
另外,根據不完全統計,自2024年年初至3月底,功率半導體領域共有29家企業完成融資。這些企業不僅包括IDM模式企業,還覆蓋碳化硅材料、芯片設計、模塊生產、設備制造,以及封裝及耗材等多個細分領域,體現了資本市場對于功率半導體行業的信心。2024年一季度融資詳情如下表所示:
一月 | ||
三菱電機 | IGBT、SiC等功率半導體器件 | 債券,300億日元 |
積塔半導體 | 半導體特色工藝集成電路芯片 | D輪 |
恒格微 | 泛半導體等離子工業應用設備 | A+輪,近5000萬元 |
謙視智能 | 高端半導體量檢測設備 | A+輪,數千萬元 |
邑文科技 | 刻蝕工藝設備和薄膜沉積工藝設備 | D輪,超5億元 |
芯三代半導體 | 聚焦碳化硅SiC外延設備 | 戰略融資 |
至信微電子 | SiC MOSFET及模組 | A+輪 |
二月 | ||
士蘭明稼 | 第三代半導體芯片及先進化合物半導體器件 | 完成增資,12億元 |
安森德 | 功率器件芯片、模擬芯片、SIP系統級芯片 | 戰略投資,數千萬元 |
志橙半導體 | 半導體設備的SiC涂層石墨零部件產品 | 招股募資,6.02億元 |
工源三仟 | X-Ray在線自動檢測設備 | Pre-A輪,數千萬元 |
道宜半導體 | 電子封裝用環氧塑封料 | PreA++輪,數千萬元 |
東洋碳素 | 碳化硅SiC和碳化鉭TaC涂層石墨產品 | 資本投資,70億日元 |
美浦森半導體 | 功率半導體器件MOSFET/IGBT | A+++輪 |
中機新材 | 研磨拋光材料 | A輪,過億元 |
SK Siltron CSS | SiC晶圓 | 獲貸款,5.44億美元 |
瑞能半導體 | 生產SCR/FRD/IGBT/SiC 模塊 | 擬募資,3.5億元 |
思銳智能 | 聚焦關鍵半導體前道工藝設備 | B輪,數億元 |
三月 | ||
新瀝半導體 | 設計功率半導體芯片 | A輪 |
Gaianixx | PZT、SiC、GaN等高品質單晶薄膜 | B+輪,3.5億日元 |
博雅新材 | 第三代寬禁帶半導體材料 | Pre-IPO,約2億元 |
百識電子 | SiC、GaN外延代工 | A+輪 |
海乾半導體 | SiC外延片 | A輪 |
博湃半導體 | 銀燒結設備和AMB基板 | A輪,數億元人民幣 |
安儲科技 | 配方型功能電子化學品及電子特氣 | Pre-A輪 |
中車時代半導體 | 大功率晶閘管、IGBT及SiC器件等 | 戰略融資,6.3億元 |
南砂晶圓 | 碳化硅單晶材料 | C+輪 |
盈鑫半導體 | CMP制程材料(研磨拋光墊) | 天使輪 |
矽迪半導體 | SiC、GaN、IGBT等功率半導體模塊 | 天使輪,數千萬元 |
1. 新瀝半導體 A輪
3月5日,上海新瀝半導體技術有限公司完成A輪融資,臨芯投資等機構參投。
新瀝半導體成立于2023年12月,專注于功率半導體芯片的設計領域,憑借團隊多年的專業經驗和技術積累,采用獨有的配方和領先的技術開發創新型功率半導體產品。通過國內外知名FAB合作,公司已成功量產650V IGBT產品、30V SGT MOS、1200V 80mΩ 碳化硅MOS產品,正計劃產品化新的專利產品。
2. 博雅新材 Pre-IPO輪
3月8日,眉山博雅新材料股份有限公司獲Pre-IPO輪融資,本輪融資由中平資本領投,贛州中科創投跟投,融資金額近2億元人民幣。
博雅新材成立于2016年12月,產品線包含稀土后端產業鏈的高性能硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體、激光晶體、超精密光學元器件和第三代寬禁帶半導體材料。博雅新材是全球少數同時擁有氣相法(PVT)和液相法((TSSG)兩種SiC生長技術的企業,其中PVT法已基本實現6英寸N型4H-SiC單晶小批量生產和襯底片加工。
3. 百識電子 A+輪
3月11日,南京百識電子科技有限公司宣布已于近日完成A+輪融資,多家知名機構參投。該公司成立于2019年,由多名擁有數十年第三代半導體外延經驗的資深專家聯合創辦,團隊于中國南京浦口經濟技術開發區建立了完整的研發總部與生產中心,核心團隊具備外延工藝開發、良率保障、設備改良等全棧能力,客戶多為全球巨頭及國內龍頭。
百識電子提供六吋碳化硅,以及六吋、八吋硅基氮化鎵專業外延代工服務,亦可針對特殊應用市場需求,提供客制化規格外延服務,及器件開發所需的關鍵制程。
其首條產線位于南京市浦口區,于2021年投產,當前年產能達5萬片,并計劃近期在長三角落地二期產線,產能規劃28萬片/年,打造全國最領先的車規級三代半外延片制造工廠。目前南京廠量產順利,二期產線也在積極落地中。
4. 海乾半導體 A輪
3月18日,杭州海乾半導體有限公司宣布已于2024年2月順利完成A輪融資。本輪融資由深創投與深圳紅犇資本聯合投資,融資資金將加速海乾SiC外延片的產能提升,為客戶提供更優質的先進外延材料解決方案。
海乾半導體成立于2022年6月8日,家專注于第三代半導體材料SiC外延片的研發、生產及銷售,團隊核心成員均具有12年以上的專業從業經驗,掌握著全球領先的SiC外延片量產技術。
前不久舉辦的Semicon China 2024上海半導體展會上,海乾半導體展示了6英寸 4H-SiC外延片及8英寸 4H-SiC晶片。海乾半導體將致力與上下游通力配合,做好SiC外延環節,拉緊SiC功率半導體產業鏈的紐帶,推動全鏈條的聚勢共贏。
5.?中車時代半導體 戰略投資
3月22日,據"科創板日報"消息,株洲中車時代半導體有限公司獲中車時代高新投資等參與的6.3億元人民幣的戰略投資,其中時代投資出資4700萬元。本輪融資滿足了中車時代半導體產能擴充資金需求,加速其SiC產品在新能源汽車、軌道交通等領域應用進程。
中車時代半導體是中車時代電氣股份有限公司下屬全資子公司,自2019年1月成立以來,全面負責半導體產業經營,目前已成為國際少數同時掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術的IDM(集成設計制造)模式企業代表,擁有芯片—模塊—裝置—系統完整產業鏈。
據時代電氣2023年業績報告及交流紀要,2023年半導體子公司收入36.37億,雙極器件3.9億左右,IG-BT產品32.42億左右,其中高壓產品6.13億,中低壓產品26.29億元。
在半導體業務方面,中車半導體宜興、株洲兩地產線(IG-BT三期)建設在推進。其中宜興產線2024年完成設備安裝,今年下半年開始試生產,滿產年產能為36萬片8英寸中低壓組件基材,同時2023年底完成了6寸2.5萬片碳化硅產線升級;株洲原有產線(IG-BT一期、IG-BT二期)正在提升產品良率、芯片產出率,整個半導體業務依然會保持快速增長的態勢。
6. 南砂晶圓 C+輪
3月25日,廣州南砂晶圓半導體技術有限公司獲得C+輪融資,參與投資機構包括歷城控股,渾璞投資。同時,公司的注冊資本發生變更,由34560萬元提升3.24%至35680萬元。
南砂晶圓成立于2018年9月,是一家從事碳化硅單晶材料研發、生產和銷售的國家高新技術企業。公司總部設在廣州市南沙區,現有廣州、中山、濟南三大生產基地,形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產線。其中,濟南廠區正處于積極擴產期。
目前,南砂晶圓產品方面以6、8英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底為主,并可視市場需求不斷豐富產品線。據悉,南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月12日落地山東濟南,成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。2024年1月30日,中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產業化項目正式備案。目前,南砂晶圓計劃將中晶芯源打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產基地,投資額15億元,于2025年實現滿產達產。
而廣州方面,南砂晶圓于2020年7月啟動南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產項目,該項目總投資9億元,已于2023年4月試投產,達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片。
7. 矽迪半導體 天使輪

3月31日,據硬氪報道,矽迪半導體(蘇州)有限公司已于2023年9月完成數千萬天使輪融資。本輪融資由九合創投領投,融資資金將主要用于產品的研發和生產。
矽迪半導體成立于2023年2月,專注研發銷售功率模塊及應用解決方案,主要包括:功率模塊應用解決方案,仿真平臺PLSIM和功率半導體模塊的研發和生產。主要客戶涉及半導體工廠、光伏、儲能PCS、UPS、高頻感應加熱電源、特種電源、高壓電源、長晶電源和高頻數字切割機等行業。
△ 矽迪半導體產品設計圖
矽迪半導體核心業務是功率半導體模塊產品。產品均采用新型的工藝技術和先進的半導體材料,如第三代半導體材料碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),以及高功率密度IGBT和FRD等。其核心產品升壓轉換器(Boost)采用了IGBT并聯SiC MOSFET 技術,屬于國內首創,組合轉換效率達99%,成本可降低至全SiC方案的6成左右,顯著降低生產成本。
在應用方面,其功率模塊產品可以用于高頻數字切割機來提高切割精度,同時提升器件級能效轉換至99.3%,相比傳統方法提升13.3%。除功率模塊產品和應用方案外,矽迪半導體正深入探索功率器件應用仿真技術,現已推出PLSIM仿真平臺。目前,PLSIM已發布3.0版本,吸引40余家企業用戶及3000多名個人用戶注冊使用。
本輪融資后,矽迪半導體將持續加大研發投入,新建試產線工廠,以提高生產能力來滿足進一步的客戶需求,預計產能可提升兩倍左右。
8. Gaianixx B+輪
3月6日,Gaianixx宣布B輪第二輪融資結束,融資資金合計13.5億日元。Gaianixx 致力于多能中間膜和外延的研發、制造和銷售,此次募集資金將主要投資加強中間膜技術的研發、建立量產體制及促進人才招聘。

△Gaianixx 6英寸/4英寸高品質單晶薄膜
Gaianixx企業源自日本東京大學,開發出了用于制造調節電壓和電流的功率半導體、名為“中間膜”的材料。這種材料可以在廉價的硅基板上疊加碳化硅(SiC)等,預計功率半導體的制造成本將減少75%左右。這有可能推動純電動汽車(EV)等的高性能化。
9. 博湃半導體 A輪
3月18日,蘇州博湃半導體技術有限公司完成數億元股權融資。本輪融資由天創資本領投,永鑫方舟跟投,募集資金將用于公司擴產。
作為全球領先的銀燒結設備和AMB基板供應商,博湃半導體擁有大量核心專利技術:銀燒結、薄膜輔助塑封、動態壓頭技術、樹脂通孔技術等,在半導體先進封裝、大功率半導體封裝及應用領域始終處于全球領先的地位;在核心半導體材料方面,目前核心產品為活性金屬釬焊AMB陶瓷覆銅基板,由全資子公司南通威斯派爾半導體技術有限公司研發制造,威斯派爾是專注從事覆銅陶瓷基板技術研發與制造的企業,具備全制程工藝能力,產品性能和成本有巨大優勢;已獲全球知名SiC功率半導體客戶認證測試。

3月19日,張家港安儲科技有限公司宣布已完成Pre-A輪融資,本輪融資由中科創星領投,天匯資本和張家港智慧創投跟投。資金將用于產能擴建與設備研發。
安儲科技成立于2020年,專注于先進電子材料研發、生產和銷售,主營產品為配方型功能電子化學品(如拋光液、清洗液, 濕法刻蝕液, 光刻膠剝離液等)以及電子特氣安全存儲負壓鋼瓶兩大產品系列。在硅基制程CMP后清洗方面,安儲科技開發了一系列清洗產品;在碳化硅襯底拋光清洗上,安儲科技擁有拋光液、拋光后晶圓清洗液、拋光后機臺拋光墊清洗液全工藝環節耗材產品。
11. 盈鑫半導體 天使輪
3月29日,盈鑫半導體完成天使輪融資,東莞科創金融集團管理的松山湖天使基金投資。本輪融資有助于盈鑫半導體加速核心原材料自產進度,實現半導體拋光研磨材料的進口替代。
據悉,盈鑫半導體成立于2021年6月,是一家集研發、制造和銷售為一體的綜合型 CMP 制程材料供應商,聚焦于泛半導體領域的卡脖子材料的國產替代。公司主要產品有無蠟吸附墊、拋光研磨墊等,廣泛應用于第一、二、三代半導體、藍寶石和消費電子行業。
盈鑫半導體從事研磨拋光行業近二十年,具備豐富的研發資源、產品經驗和市場資源,具備敏銳的戰略研判能力,率先布局第三代半導體拋光研磨材料,配合行業龍頭企業工藝調試期間,同步開發 SiC 襯底和 GaN 外延 CMP 制程所需的吸附墊、拋光墊產品,率先實現國產化,占據先發優勢。同時,公司積極推進核心原材料的生產工作,實現自主可控,進一步加強全鏈路品質管控。
原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):超135億!2024年一季度IGBT/SiC功率半導體再掀投資熱潮