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納芯微推出1200V首款SiC?MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。

納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性,適用于電動汽車(EV) OBC/DCDC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲能系統(tǒng)(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領域。

納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET
NPC060N120A產品特性

  • 更寬的柵極驅動電壓范圍(-8~22V)

  • 支持+15V,+18V驅動模式(可實現(xiàn)IGBT兼容:+18 V)

  • +18V模式對下,RDSon可降低20%

  • 更好的RDSon溫度穩(wěn)定性

  • 出色的閾值電壓一致性

  • Vth在25°C~175°C?的范圍保持在2.0V~2.8V之間

  • 體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高

  • 100%的雪崩測試,從而提高整體的可靠性,抗沖擊能力強

此外,功率產品開發(fā)中可靠性驗證與質量控制是納芯微非常重視環(huán)節(jié)之一。為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品,在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制,所有碳化硅產品做到?100% 靜態(tài)電參數(shù)測試,100%抗雪崩能力測試。此外,會執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴格的測試條件來執(zhí)行產品可靠性驗證,如下圖:

納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

以執(zhí)行較為嚴苛的HV-H3TRB為例,在可靠性1000小時測試后,該款產品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。

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NPC060N120A產品選型表

納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

納芯微SiC?MOSFET命名規(guī)則

納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

來源:納芯微官微

原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導體網(wǎng)):納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

作者 li, meiyong

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