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更寬的柵極驅動電壓范圍(-8~22V)
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支持+15V,+18V驅動模式(可實現(xiàn)IGBT兼容:+18 V)
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+18V模式對下,RDSon可降低20%
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更好的RDSon溫度穩(wěn)定性
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出色的閾值電壓一致性
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Vth在25°C~175°C?的范圍保持在2.0V~2.8V之間
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體二極管正向壓降非常低且穩(wěn)健性高
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100%的雪崩測試,從而提高整體的可靠性,抗沖擊能力強
以執(zhí)行較為嚴苛的HV-H3TRB為例,在可靠性1000小時測試后,該款產品仍具有比較優(yōu)異的穩(wěn)定性。


原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導體網(wǎng)):納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET